[发明专利]一种改善异质结太阳能电池性能的方法

权利要求书

1.一种改善n型异质结太阳能电池性能的方法，包括：

提供异质结太阳能电池；所述太阳能电池具有n型硅基板和多个金属触点，所述n型硅基板仅掺杂n型掺杂剂，浓度大于1×10¹⁴cm^-3；

在200℃至300℃之间的温度下用光照射所述太阳能电池的表面部分少于5分钟，所述光具有至少为2kW/m²的强度和一波长，使得所述光被所述表面部分吸收并在所述太阳能电池中产生电子-空穴对；

其中照射所述太阳能电池的表面部分的步骤使少于0.5kWh/m²的能量转移到所述表面部分，并且在光照期间所述表面部分的温度以至少10℃/s的速率升高一段时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中用光照射所述太阳能电池的表面部分的步骤使得在光照期间所述太阳能电池内的过量载流子浓度为至少1×10¹⁶cm^-3。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述光的波长使得所述多个金属触点中的吸收高于所述硅基板中的吸收。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括改变光照强度以调节所述装置的温度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中照射所述太阳能电池的表面部分的步骤使得通过使用较高的光照强度将暴露部分迅速加热至预定温度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于5kW/m²。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于20kW/m²。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于5kW/m²时间小于6分钟。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于20kW/m²时间小于90秒。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于100kW/m²时间小于18秒。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于200kW/m²时间小于9秒。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述光照强度高于50kW/m²时间在0.1秒至9秒之间。

13.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述光的波长在700nm至1100nm之间。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述光的波长在800nm至1000nm之间。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，还包括：在光照期间，当光照强度高于4kW/m²时，主动冷却所述太阳能电池。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，还包括：以至少10℃/s的冷却速率将所述太阳能电池从在200℃至300℃范围内的温度主动冷却至至少低50℃的温度。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述太阳能电池以至少20℃/s的冷却速率冷却。

18.根据权利要求16或17中任一项所述的方法，其中将所述太阳能电池冷却至低于150℃的温度。