[发明专利]粘合基板的方法

说明书

本文提供例如在基板级封装中使用的用于粘合基板的方法。在一些实施例中，一种用于粘合基板的方法包括：执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；在第一基板和第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在第一基板和第二基板中的每一者上形成粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。

技术领域

本公开总体上涉及用于基板处理的方法，并且更具体地，涉及例如在基板级封装中使用的用于粘合基板的方法。

背景技术

当前铜-铜(Cu-Cu)粘合处理技术，尽管适合在基板级封装中使用，但具有一个或多个缺点。举例而言，为了实现足够的粘合强度以用于将Cu表面彼此粘合，Cu表面在基板级封装期间可变得高度氧化，当前的Cu-Cu粘合处理技术使用可在约300℃-400℃范围内的温度和可超过数兆帕(MPa)的粘合压力。然而，当包括Cu表面的基板(例如，硅(Si)基板)彼此粘合时，例如由于基板上的Si与用于粘合的Cu之间的热膨胀系数(CTE)的失配，使用此类高的温度/压力可导致对准不精确。此外，此类高的温度/压力有时可损坏下层的基板和/或形成于下层的基板上的电路。此外，与当前Cu-Cu粘合处理技术相关联的长的处理时间(其可超过30分钟)和严格的真空要求(需要所述真空要求以减少在Cu表面上的氧化)可降低可粘合在一起的基板的产量，并且增加处理成本。

因此，发明人已提供用于处理基板的改进的技术。

发明内容

本文提供例如在基板级封装中使用的用于粘合基板的方法。在一些实施例中，用于粘合基板的方法包括：执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；在第一基板和第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在第一基板和第二基板中的每一者上形成粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。

在一些实施例中，用于粘合基板的方法包括：执行物理气相沉积(PVD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积第一材料；执行ECD以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积第二材料；在第一基板和第二基板上执行CMP以在第一基板和第二基板中的每一者上形成第二材料的粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。

在一些实施例中，提供了一种非瞬时计算机可读存储介质，所述非瞬时计算机可读存储介质具有存储在所述非瞬时计算机可读存储介质上的指令，所述指令当由处理器执行时，执行用于粘合基板的方法。所述方法可包括本文所公开的任何实施例。在一些实施例中，所述方法包括：执行ECD以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；在第一基板和第二基板上执行CMP以在第一基板和第二基板中的每一者上形成粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。

在一些实施例中，用于粘合基板的方法包括：执行ECD以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料，并且在第一基板和第二基板中的每一者上形成粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。

以下描述本公开的其他和进一步实施例。

附图说明

以上简要概述并在以下更详细讨论的本公开的实施例，可通过参考在附图中描绘的本公开的说明性实施例来理解。然而，附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不应被认为是对范围的限制，因为本公开认可其他等效的实施例。