[发明专利]具有结构化承载件的应变测量结构

权利要求书

1.一种用于对物体(11)上的应变进行测量的应变测量结构(1)，所述应变测量结构(1)包括：

-结构化承载件(3)，

-用于单轴应变测量的至少一个测量组件(5)，

其特征在于：

所述承载件(3)具有至少两个部位(7)，所述至少两个部位(7)通过预定断裂点(9)彼此分开，其中所述测量组件(5)存在于两个部位(7)之间，每个部位(7)能够在接合区(13)中接合至所述物体(11)，并且其中，所述预定断裂点(9)被配置成通过将所述承载件(3)分开为所述部位(7)来激活所述应变测量结构(1)。

2.根据权利要求1所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述测量组件被配置成用于电阻式应变测量，优选地所述测量组件被配置成用于压阻式应变测量、压电式应变测量、光学式应变测量、磁性应变测量、电感式应变测量和/或电容式应变测量。

3.根据前述权利要求所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述测量组件包括弹簧结构(10)，所述弹簧结构(10)被配置成用于电阻式应变测量，优选地所述弹簧结构(10)被配置成用于压阻式应变测量、压电式应变测量和/或电容式应变测量。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述测量组件包括弹簧结构(10)，其中，所述弹簧结构是具有两个或更多个弯曲点(25)的线形形成部，并且其中，在被配置成用于应变测量的所述弯曲点(25)中存在压阻式部位、压电式部位和/或电容式部位。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述测量组件包括被配置成用于电容式应变测量和/或光学式应变测量的间隙。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述测量组件包括MEMS弹簧结构(12)，优选地所述测量组件包括半导体MEMS弹簧结构，所述MEMS弹簧结构在侧壁(19)中具有至少一个掺杂部位(17)，所述掺杂部位包括半导体应变仪(21)。

7.根据前一权利要求所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述MEMS弹簧结构(12)包括至少四个半导体应变仪(21)，所述半导体应变仪(21)安装在至少一个全桥式件中。

8.根据前述权利要求中的任一项或更多项所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述测量组件(5)的基板和/或所述承载件(3)的基板选自半导体材料，优选地所述测量组件(5)的基板和/或所述承载件(3)的基板选自：硅、单晶硅、多晶硅、二氧化硅、碳化硅、硅锗、氮化硅、氮化物、锗、碳、砷化镓、氮化镓和/或磷化铟。

9.根据前述权利要求中的任一项或更多项所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述承载件(3)包括框架结构(14)，其中，所述框架结构(14)优选地包括至少三个部位(7)，其中，在每个部位(7)与至少另一个其他部位(7)之间存在测量组件(5)，其中，所述应变测量结构(1)是应变测量的应变花(15)，所述应变测量的应变花(15)被配置成用于多轴应变测量。

10.根据前述权利要求中的任一项或更多项所述的应变测量结构(1)，

其特征在于：

所述承载件(3)包括框架结构(14)，所述框架结构(14)形成了内部部位的连续外部边界，并且其中，所述框架结构(14)包括至少三个部位(7)，所述至少三个部位(7)通过预定断裂点(9)分开，并且其中，所述框架结构(14)的至少一个部位(7)借助于所述测量组件(5)连接至至少两个其他部位(7)。