[发明专利]声学设备在审
申请号: | 201980069389.6 | 申请日: | 2019-10-04 |
公开(公告)号: | CN112913259A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | R·S·瓦克兰德;T·A·弗罗埃施莱 | 申请(专利权)人: | 伯斯有限公司 |
主分类号: | H04R1/34 | 分类号: | H04R1/34;H04R7/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声学 设备 | ||
1.一种声学设备,包括:
开放式音频设备结构,所述开放式音频设备结构被构造为承载在使用者的头部或上部躯干上;
外壳,所述外壳由所述开放式音频设备结构承载,所述外壳具有相对的前端面和后端面以及相对的第一端部和第二端部;
平坦隔膜,所述平坦隔膜位于所述外壳中并且包括前端面和后端面,所述隔膜被构造成从所述隔膜的前端面辐射前部声辐射并辐射到被限定在所述隔膜的所述前端面和所述外壳的所述前端面之间的前声学体积中,并且从所述隔膜的后端面辐射后部声辐射并辐射到被限定在所述隔膜的所述后端面和所述外壳的所述后端面之间的后声学体积中,其中所述前部声辐射和所述后部声辐射是异相的;
柔性结构,所述柔性结构支撑所述隔膜,使得所述隔膜能够相对于所述外壳移动;
初级磁体,所述初级磁体靠近所述隔膜的所述后端面;
磁路,所述磁路限定用于所述初级磁体的磁通量的路径;
音圈,所述音圈暴露于所述磁通量并且被构造成沿着垂直于所述隔膜的所述前端面的辐射轴线上下移动所述隔膜;和
位于所述外壳中的第一发声出口和第二发声出口,其中所述第一发声出口位于所述外壳的所述第一端部中或靠近所述外壳的所述第一端部,限定中心,并且声学地耦接到所述前声学体积以便从所述外壳发射前部声辐射,并且其中所述第二发声出口位于所述外壳的所述第二端部中或靠近所述外壳的所述第二端部,限定中心,并且声学地耦接到所述后声学体积以便发射后部声辐射;
其中所述第一发声出口的所述中心和所述第二发声出口的所述中心之间的距离大于沿着所述辐射轴线在所述外壳的所述前端面和所述后端面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的声学设备,其中所述开放式音频设备结构被构造成佩戴在所述使用者的头部上,使得所述隔膜辐射轴线横向于所述头部的一侧。
3.根据权利要求2所述的声学设备,其中所述开放式音频设备结构包括眼镜耳机的镜腿件,并且其中所述第一发声出口和所述第二发声出口中的一者被构造成靠近所述使用者的耳部,并且所述第一发声出口和所述第二发声出口中的另一者被构造成距所述耳部较远。
4.根据权利要求1所述的声学设备,其中:
所述隔膜是矩形的并且还包括平行的第一侧和第二侧;
所述初级磁体是矩形的并且包括前端面、后端面以及平行的第一侧和第二侧;
所述磁路包括位于所述初级磁体的所述前端面和所述隔膜的所述后端面之间的前极片、靠近所述初级磁体的所述后端面的后极片、以及第一侧磁体和第二侧磁体,所述第一侧磁体靠近所述初级磁体的所述第一侧并与所述初级磁体的所述第一侧间隔开,并且所述第二侧磁体靠近所述初级磁体的所述第二侧并与所述初级磁体的所述第二侧间隔开,其中所述磁路限定所述初级磁体与所述第一侧磁体和所述第二侧磁体之间的磁路间隙;
所述音圈位于所述磁路间隙中;并且
所述外壳还包括框架,所述框架围绕所述磁路和所述隔膜并且被构造成支撑所述隔膜。
5.根据权利要求4所述的声学设备,其中所述第一发声出口和所述第二发声出口中的至少一者包括所述框架中的开口。
6.根据权利要求4所述的声学设备,其中所述后极片限定所述第一发声出口和所述第二发声出口中的一者。
7.根据权利要求1所述的声学设备,还包括位于所述外壳中的阻性端口开口,所述阻性端口开口接收所述后部声辐射并且与所述第二发声出口间隔开。
8.根据权利要求7所述的声学设备,其中所述外壳包括所述磁路的后极片,并且其中所述阻性端口开口包括所述后极片中的开口。
9.根据权利要求8所述的声学设备,其中所述第二发声出口包括所述后极片中的开口。
10.根据权利要求7所述的声学设备,其中所述初级磁体包括两个间隔开的初级磁体区段,并且其中所述第二发声开口和所述阻性端口开口位于所述两个间隔开的初级磁体区段之间。
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