[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201980068281.5 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN112868089A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 森弘明;川口义广;久野和哉;田之上隼斗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G01B11/00;H01L21/68 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
基板处理装置具有:保持部,其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板;第一检测部,其检测所述第一基板的外侧端部;第二检测部,其检测所述第一基板与第二基板进行了接合的接合区域同该接合区域的外侧的未接合区域之间的边界;以及周缘去除部,其针对被所述保持部保持的所述重合基板去除所述第一基板中的作为去除对象的周缘部。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开了以下内容:通过使在外周部设置有磨粒的圆板状的磨削工具旋转,并使磨削工具的至少外周面与半导体晶圆线状地抵接,来将半导体晶圆的周端部磨削为大致L字状。通过将两张硅晶圆进行贴合来制作半导体晶圆。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开平9-216152号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术在基板彼此接合而成的重合基板中在期望的位置处去除一个基板的周缘部。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是对基板进行处理的基板处理装置,所述基板处理装置具有:保持部,其保持将第一基板与第二基板接合而成的重合基板;第一检测部,其检测所述第一基板的外侧端部;第二检测部,其检测所述第一基板与所述第二基板进行了接合的接合区域同该接合区域的外侧的未接合区域之间的边界;周缘去除部,其针对被所述保持部保持的所述重合基板去除所述第一基板中的作为去除对象的周缘部;保持部移动机构,其使所述保持部沿水平方向移动;以及控制部,其控制所述保持部、所述第一检测部、所述第二检测部、所述周缘去除部以及所述保持部移动机构,其中,所述控制部执行以下控制:使所述第一检测部检测所述第一基板的外侧端部;根据通过所述第一检测部检测出的检测结果来计算所述保持部的中心与所述第一基板的中心的第一偏心量;使所述第二检测部检测所述接合区域与所述未接合区域之间的边界;根据通过所述第二检测部检测出的检测结果来计算所述保持部的中心与所述接合区域的中心的第二偏心量;以及基于所述第二偏心量,以所述接合区域的中心与所述周缘部的中心一致的方式决定所述保持部相对于所述周缘去除部的位置。
发明的效果
根据本公开,能够在基板彼此接合而成的重合基板中在期望的位置处去除一个基板的周缘部。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是表示重合晶圆的结构的概要的侧视图。
图3是表示重合晶圆的一部分的结构的概要的侧视图。
图4是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
图5是晶圆处理的主要工序的说明图。
图6是表示在处理晶圆形成有周缘改性层的情形的纵剖截面图。
图7是表示在处理晶圆形成有周缘改性层的情形的俯视图。
图8是表示本实施方式所涉及的改性装置的结构的概要的俯视图。
图9是表示本实施方式所涉及的改性装置的结构的概要的侧视图。
图10是表示微距相机拍摄的部位的说明图。
图11是通过微距相机对准来计算的第一偏心量的说明图。
图12是表示微型相机拍摄的部位的说明图。
图13是通过微型相机对准来计算的第一偏心量的说明图。
图14是表示改性处理的主要工序的流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造