[发明专利]固态摄像元件和摄像装置在审
申请号: | 201980067928.2 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN112868102A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 山川真弥 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 装置 | ||
1.一种固态摄像元件,包括:
第一基板,所述第一基板包括光电转换部和电连接到所述光电转换部的传输晶体管;
第二基板,所述第二基板设置成与所述第一基板相对并且包括输出晶体管,所述输出晶体管包括栅电极、布置成与所述栅电极相对的第一导电类型的沟道区域以及与所述沟道区域相邻的所述第一导电类型的源极-漏极区域;和
驱动电路,所述驱动电路允许在所述光电转换部中产生的信号电荷经由所述传输晶体管和所述输出晶体管输出。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,
所述栅电极具有平板形状。
3.根据权利要求1所述的固态摄像元件,进一步包括:
第三基板,所述第三基板与所述第一基板相对,所述第二基板介于所述第三基板与所述第一基板之间,并且所述第三基板上设置有所述驱动电路。
4.一种固态摄像元件,包括:
光电转换部;
传输晶体管,所述传输晶体管电连接到所述光电转换部;
输出晶体管,所述输出晶体管电连接到所述传输晶体管并包括第一导电类型的沟道区域、具有覆盖所述沟道区域的多个面的栅电极以及与所述沟道区域相邻的所述第一导电类型的源极-漏极区域;和
驱动电路,所述驱动电路允许在所述光电转换部中产生的信号电荷经由所述传输晶体管和所述输出晶体管输出。
5.根据权利要求4所述的固态摄像元件,进一步包括:
第一基板,所述第一基板包括所述光电转换部和所述传输晶体管;
第二基板,所述第二基板设置成与所述第一基板相对并且包括所述输出晶体管;和
第三基板,所述第三基板与所述第一基板相对,所述第二基板介于所述第三基板与所述第一基板之间,并且所述第三基板上设置有所述驱动电路。
6.根据权利要求1所述的固态摄像元件,进一步包括:
所述栅电极和所述沟道区域之间的栅极绝缘膜。
7.根据权利要求1所述的固态摄像元件,进一步包括:
电荷累积部,在所述光电转换部中产生的信号电荷从所述传输晶体管传输到所述电荷累积部。
8.根据权利要求7所述的固态摄像元件,进一步包括:
放大晶体管,所述放大晶体管根据所述电荷累积部的电位的大小来输出信号;
复位晶体管,所述复位晶体管将所述电荷累积部的电位复位;和
选择晶体管,所述选择晶体管控制所述放大晶体管的输出,其中,
所述放大晶体管、所述复位晶体管和所述选择晶体管中的至少一者为所述输出晶体管。
9.根据权利要求1所述的固态摄像元件,进一步包括:
鳍片,其中设置有所述沟道区域和所述源极-漏极区域。
10.根据权利要求9所述的固态摄像元件,其中,
在所述鳍片中,连续地设置有多个所述沟道区域和多个源极-漏极区域。
11.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,
所述栅电极包括第一面和相对的第二面以及连接所述第一面和所述第二面的第三面,所述沟道区域介于所述第一面与所述第二面之间。
12.根据权利要求11所述的固态摄像元件,其中,
所述栅电极还包括与所述第三面相对的第四面,所述沟道区域介于所述第四面与所述第三面之间。
13.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,
所述栅电极包括第二导电类型的多晶硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980067928.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的