[发明专利]晶体管电平输入和输出谐波终止在审
申请号: | 201980067907.0 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN112913013A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | F·特朗;Z·莫克提;G·比格尼 | 申请(专利权)人: | 克里公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 於菪珉 |
地址: | 美国北*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 电平 输入 输出 谐波 终止 | ||
1.一种晶体管器件,所述晶体管器件包括:
晶体管单元,所述晶体管单元包括沟道区;
栅极道,所述栅极道电连接到所述沟道区上的栅极电极并与所述栅极电极物理地分离;以及
谐波终止电路,所述谐波终止电路在所述栅极电极与所述晶体管器件的输入端子之间电连接到所述栅极道,所述谐波终止电路被配置为终止在所述晶体管器件的基本操作频率的谐波频率处的信号。
2.如权利要求1所述的晶体管器件,其中,所述谐波终止电路被配置为针对在所述晶体管器件的所述基本操作频率的所述谐波频率处的信号,提供从所述输入端子到地的低阻抗路径。
3.如权利要求1或2所述的晶体管器件,还包括衬底,
其中,所述晶体管单元在所述衬底上,
其中,所述栅极道在与所述衬底的顶表面垂直的第一方向上与所述栅极电极物理地分离,以及
其中,所述谐波终止电路在所述栅极道和所述衬底的顶表面之间在所述衬底上延伸。
4.如权利要求3所述的晶体管器件,其中,所述谐波终止电路包括位于所述栅极道和所述衬底的顶表面之间的布线层。
5.如权利要求4所述的晶体管器件,其中,所述布线层包括螺旋电感。
6.如权利要求4或5所述的晶体管器件,其中,所述布线层包括弯曲的迹线部。
7.如权利要求4-6中任一项所述的晶体管器件,其中,所述布线层包括具有基于所述晶体管器件的基本操作频率的长度的四分之一波长传输线。
8.如权利要求4-6中任一项所述的晶体管器件,其中,所述布线层与所述晶体管器件的地导体分离并且电容性地耦合到所述晶体管器件的地导体。
9.如权利要求8所述的晶体管器件,其中,所述地导体包括第一地导体层和第二地导体层,以及
其中,所述布线层在第二方向上与所述第一地导体层物理地分离,并在第三方向上与所述第二地导体层物理地分离,所述第三方向与所述第二方向相反。
10.如权利要求9所述的晶体管器件,其中,所述第二地导体层在所述布线层和所述栅极道之间,以及
其中,所述第一地导体层在所述布线层和所述衬底的所述顶表面之间。
11.如权利要求4-10中任一项所述的晶体管器件,其中,所述布线层是第一布线层,并且所述晶体管器件还包括第二布线层,
其中,所述第一布线层包括在所述栅极道和所述衬底的顶表面之间的电感性电路,以及
其中,所述第二布线层电耦合到所述第一布线层,并且所述第二布线层与所述晶体管器件的地导体分离并电容性地耦合到所述晶体管器件的地导体。
12.如权利要求11所述的晶体管器件,其中,所述第二布线层在所述第一布线层和所述晶体管器件的所述地导体之间。
13.如权利要求1-12中任一项所述的晶体管器件,其中,所述谐波频率是二次谐波频率。
14.如权利要求1-13中任一项所述的晶体管器件,其中,所述栅极电极是多个栅极电极中的一个栅极电极,以及
其中,所述栅极道被配置为将所述多个栅极电极连接到所述晶体管器件的所述输入端子。
15.如权利要求1-14中任一项所述的晶体管器件,其中,所述谐波终止电路包括串联谐振电路,所述串联谐振电路包括电容性串联连接到地导体的电感性元件。
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