[发明专利]具有可调整架构的矩阵光源在审
申请号: | 201980067750.1 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN112868104A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 塞缪尔·达洛斯因;亚历山大·瓦尔;兹德拉夫科·左珍凯斯基 | 申请(专利权)人: | 法雷奥照明公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H05B45/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 可调整 架构 矩阵 光源 | ||
本发明涉及一种矩阵光源,该矩阵光源具有集成电路和多个基本光源,该基本光源具有发光半导体元件,该集成电路包括适用于矩阵的基本光源的控制逻辑。光源的架构是可调调整的,使得在生产期间,使用可重复的结构,集成电路的尺寸可以被适配成容置不同尺寸的矩阵。
技术领域
本发明涉及基于特别是用于机动车辆的电致发光半导体元件的矩阵光源。本发明特别地涉及矩阵光源的可调整架构。
背景技术
发光二极管(LED)是能够在电流流过时发光的半导体电子部件。在汽车领域,LED技术正越来越多地用于众多的光信号解决方案。LED用于提供照明功能,诸如日间行车灯、信号灯等。LED发出的亮度总体上取决于流过该LED的电流的强度。除其他外,LED的特征在于电流强度阈值。这种最大正向电流通常随着温度的升高而降低。同样地,当LED发光时,在LED的端子处会观察到等于其正向电压或标称电压的压降。
使用包括大量基本电致发光光源的LED的矩阵阵列在许多应用领域中是有利的,特别是在机动车辆的照明和发信号领域中是有利的。LED的矩阵阵列可以例如形成光束的形式,该光束的形式有益于照明功能,例如前照灯/道路照明灯或日间行车灯。另外,可以使用单个矩阵阵列产生多种不同的照明功能,从而减小在机动车辆的灯的有限空间中的物理体积。
众所周知,矩阵光源或等效地像素化光源由控制单元控制,该控制单元在物理上远离光源并且电连接到该光源。已经提出将用于驱动光源所需的电子电路中的至少一些电子电路集成到ASIC集成电路(“专用集成电路”)中,在该集成电路上放置光源的矩阵阵列。但是,根据光源的矩阵阵列的尺寸,针对每种应用,已知的集成电路必须被再次开发。此外,具有均一特性的基于半导体元件的基本光源的矩阵阵列的生产率仍然受到限制。特别是控制大型矩阵阵列的生产尤其困难,而大型矩阵阵列能够允许实施更多不同的应用。
发明内容
本发明的一个目的是克服现有技术带来的问题中的至少一个问题。
根据本发明的第一方面,提出了一种矩阵光源,所述矩阵光源包括集成电路和基于电致发光半导体元件的基本光源的矩阵阵列。所述集成电路包括至少一个电子电路和接纳区域,所述电子电路用于驱动向所述基本光源的电力供应,所述接纳区域具有基板并且用于接纳所述矩阵阵列。所述矩阵光源值得注意的是,所述集成电路包括沿着主轴线重复至少一次的至少一部分,所述至少一部分包括所述接纳区域的一部分和所述电子电路。
优选地,部分矩阵之间的距离可以小于10μm。
优选地,所述接纳区域的基板可以包括所述电子电路的至少一部分。
优选地,所述基本光源可以通过相对于所述接纳区域的范围呈竖直的连接件而电连接到所述电子电路。
优选地,基本光源的矩阵阵列可以由至少两个分开的部分矩阵组成。
优选地,所述矩阵光源可以沿着主轴线延伸。
优选地,所述集成电路可以包括与所述接纳区域相邻的至少一个连接区域,所述连接区域用于将所述电子电路连接到至少一个外部部件。
优选地,所述连接区域可以沿着所述集成电路的跟随所述主轴线的至少一个边缘延伸。优选地,所述边缘可以平行于主轴线。
优选地,所述连接区域可以包括用于连接至电源的连接装置,所述连接装置由金属层形成。优选地,这涉及具有良好导电性的金属,例如铜Cu、铝Al、金Au或银Ag。
优选地,所述连接区域可以包括多个连接垫,所述连接垫的相应面积取决于所述连接垫将要传输的信号和/或电流强度。优选地,所述连接装置可以包括所述连接垫。
优选地,所述连接区域可以包括连接垫,所述连接垫可以分布在所述连接区域的多个相互连接的部分上,所述连接垫的面积能够传输具有至少15A的强度的电流。
优选地,所述连接区域可以包括至少一个通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的