[发明专利]用于嵌入式应用的存储器

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其具有第一区域且经配置以在第一电压下操作；以及

电路，其具有至少部分地与所述第一区域重叠的第二区域，所述电路经配置以在低于所述第一电压的第二电压下操作，其中所述存储器单元阵列和所述电路在单个衬底上。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

解码器电路，其与所述存储器单元阵列的存取线耦合且经配置以对所述存储器单元阵列的存储器地址进行解码，其中所述解码器电路经配置以在所述第一电压下操作且所述电路经配置以使用所述解码器电路存取所述存储器单元阵列。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述电路包括微控制器电路，所述微控制器电路经配置以至少部分地基于存取所述存储器单元阵列而执行逻辑操作。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述电路包括加密控制器电路或存储器控制器电路。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述装置包括邻近于所述衬底的第一层和邻近于所述第一层的第二层，且其中所述存储器单元阵列制造于所述第二层中且所述电路制造于所述第一层中。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电路包括SRAM电路或DRAM电路。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路覆叠所述衬底的第三区域，且所述存储器单元阵列覆叠所述衬底的第四区域，所述第三区域的至少第一部分与所述第四区域重合，且所述第三区域的至少第二部分延伸超出所述第四区域。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路覆叠所述衬底的第三区域，且所述存储器单元阵列覆叠所述衬底的第四区域，所述第三区域完全在所述第四区域内。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元阵列包括自选择存储器单元阵列，每一自选择存储器单元包括硫族化物存储和选择器元件。

10.一种存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其具有第一区域；以及

解码器电路，其具有小于所述第一区域的第二区域，所述解码器电路至少部分地与所述第一区域重叠且与所述存储器单元阵列的存取线耦合，其中所述存储器单元阵列和所述解码器电路在单个衬底上。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述解码器电路制造于所述存储器装置的第一层中，且所述存储器单元阵列制造于所述存储器装置的在所述第一层上方的第二层中。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其进一步包括：

控制器电路，其制造于所述第一层中，且经配置以使用所述解码器电路存取所述存储器单元阵列，其中所述存储器单元阵列与所述控制器电路的至少一部分重叠。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述解码器电路经配置以在第一电压下操作，并且所述控制器电路经配置以在低于所述第一电压的第二电压下操作。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述解码器电路包括具有第一栅极氧化物材料的逻辑门，并且所述控制器电路包括具有不同于所述第一栅极氧化物材料的第二栅极氧化物材料的逻辑门。

15.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述解码器电路包括具有第一栅极氧化物材料的第一厚度的逻辑门，并且所述控制器电路包括具有第二栅极氧化物材料的第二厚度的逻辑门，所述第一厚度不同于所述第二厚度。