[发明专利]核磁共振装置中超导磁体和RF线圈的集成单源冷却在审
申请号: | 201980066269.0 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN112840415A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 沙西·普拉希米 | 申请(专利权)人: | 沙西·普拉希米 |
主分类号: | H01F6/06 | 分类号: | H01F6/06;H01F6/04;G01R33/035;G01R33/20;G01R33/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 美国布*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 核磁共振 装置 超导 磁体 rf 线圈 集成 冷却 | ||
1.一种磁共振成像(MRI)磁体系统,其具有高信噪比(SNR)成像能力,其中,所述系统包括:
外部真空容器,其具有患者孔和用于梯度线圈的环;
第一级主体,其封闭在所述真空容器内;
第二级主体,其包括封闭在所述第一级主体内的超导磁体;
射频收发器线圈或者射频(RF)发射器线圈和RF接收器线圈,所述射频收发器线圈或者所述RF发射器线圈和所述RF接收器线圈布置在所述第一级主体内;和
冷却器,其具有与所述真空容器联接的至少第一级和第二级,其中,所述第一级将所述第一级主体和所述RF接收器或所述RF收发器线圈冷却至T1度,并且所述第二级将所述第二级主体冷却至T2度,其中T1T2。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,T1在30至85开氏度之间,T2在3至20开氏度之间。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述冷却器的第二级进一步将所述RF接收器或所述RF收发器线圈冷却至低于T1度的温度。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述冷却器的第一级还冷却所述RF发射器。
5.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括用于传导地冷却所述RF接收器线圈的冷却基板,所述冷却基板导热但基本上不导电。
6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述冷却基板是蓝宝石或蓝宝石复合材料。
7.一种磁共振成像(MRI)磁体系统,其包括:
真空容器,其具有部署在所述真空容器中的超导场磁体和射频(RF)接收器线圈;和
冷却器,其与所述真空容器联接,并进一步连接到所述超导场磁体和所述RF接收器线圈,以冷却所述超导场磁体和所述RF接收器线圈。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述系统还包括部署在所述RF接收器线圈和所述冷却器之间的传热构件,所述传热构件导热但基本上不导电。
9.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,将患者孔和真空空间分隔开的真空容器壁由不导电材料制成。
10.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述冷却器是单级冷却器。
11.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述冷却器的第一级冷却所述RF接收器线圈,并且所述冷却器的第二级进一步冷却所述超导场磁体,并且如果需要,还冷却所述RF接收器线圈。
12.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述系统还包括在所述真空容器内的辐射屏蔽件,其中所述辐射屏蔽件封闭所述超导场磁体,所述冷却器冷却所述辐射屏蔽件、所述RF接收器线圈和所述超导场磁体。
13.一种高信噪比(SNR)磁共振成像(MRI)磁体设备,其包括:
冷块,其包括超导线圈;
射频(RF)线圈;
辐射屏蔽件,其包围所述冷块和所述RF线圈;
真空容器,其封闭所述辐射屏蔽件;和
多级冷却器冷头,其与所述真空容器联接,其中,所述冷头的第一级与所述辐射屏蔽件和所述RF线圈物理热联接,所述冷头的第二级与所述冷块物理热联接,所述冷头将所述辐射屏蔽件和所述接收器RF线圈冷却到T1温度,并且将所述冷块冷却到T2温度,其中T1高于T2。
14.根据权利要求13所述的设备,其特征在于,所述设备还包括部署在所述RF线圈和所述冷却器之间的传热构件,所述传热构件导热但不导电。
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