[发明专利]电泵浦垂直腔激光器

权利要求书

1.一种电泵浦垂直腔激光器(VCL)，所述电泵浦垂直腔激光器具有光学腔并以发射波长发射，所述垂直腔激光器包括多个层、多层式第一反射镜(190)、多层式第二反射镜(200)、带间级联增益区(260)、第一注入触点(100)、第二注入触点(110)和折射率波导，所述折射率波导包括较高分布折射率的内部区域和较低分布折射率的外部区域(130)，其中，所述较高分布折射率超过所述较低分布折射率的值小于约0.12。

2.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，与光学模式重叠的注入电流的百分比大于约25％。

3.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述垂直腔激光器以单一的横向和纵向模式发射。

4.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述折射率波导包括具有底切厚度的底切层。

5.根据权利要求4所述的垂直腔激光器，其中，所述底切层包括来自由InAsSb和InAs组成的组中的至少一种材料。

6.根据权利要求4所述的垂直腔激光器，其中，所述底切厚度小于所述发射波长除以底切材料的折射率的值的大约四分之一。

7.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述折射率波导包括具有氧化物厚度的AlGaAs的氧化层。

8.根据权利要求7所述的垂直腔激光器，其中，所述氧化物厚度小于所述发射波长除以未氧化区域的折射率的值的大约四分之一。

9.根据权利要求7所述的垂直腔激光器，其中，所述氧化层包括逐渐变小的厚度。

10.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述折射率波导包括在所述垂直腔激光器的腔中的弯曲表面。

11.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述折射率波导包括具有蚀刻深度的浅台面。

12.根据权利要求11所述的垂直腔激光器，其中，所述蚀刻深度小于所述发射波长除以所述蚀刻材料的折射率的值的大约四分之一。

13.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，归因于横向几何形状的往返损失小于约0.5％。

14.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，归因于横向几何形状的往返损失小于约0.1％。

15.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述第一接触件和所述第二接触件中的至少一者占据与主台面区域相邻的标签区域。

16.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述折射率波导的横截面的周边包括至少一个拐点。

17.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述折射率波导还用作电流孔隙。

18.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述第一反射镜和第二反射镜中的至少一者包括Al(x)Ga(1-x)As，其中0≤x≤1。

19.根据权利要求1所述的垂直腔激光器，其中，所述带间级联增益区包括第一组有源级，该第一组有源级被至少一个隔离层从第二组有源级隔开，其中，所述第一组与所述光学腔中的第一驻波波峰对准，且所述第二组与所述光学腔中的第二驻波波峰对准。

20.根据权利要求19所述的垂直腔激光器，其中，所述第一组和所述第二组每一者都包括五个有源级，总共十个有源级。