[发明专利]将板分离成单个部件的方法

权利要求书

1.一种用于板(1)的后端处理的方法，以便获得多个单独的分离的电气、光学或光电部件(1”)，所述方法包括:

a)提供基底(2)，

b)通过所述板和所述基底之间的牺牲层(3)将所述板附着到所述基底，所述牺牲层与所述板和所述基底接触，所述牺牲层由至少一种材料形成，所述至少一种材料在环境温度和环境压力下为固态，并且所述牺牲层在环境压力具有在80℃至600℃范围内的转化成一种或多种气态化合物的转化温度，

c)将附着在所述基板上的所述板分离成附着在所述基板上的多个板部分，所述基板保持为单件，以及

d)相应地升高温度和/或降低环境压力至足够高的温度和/或足够低的压力，以便将附着到所述多个板部分的牺牲层转化为一种或多种气态化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，分离步骤c)包括切割通过所述牺牲层(3)附着到所述基底(2)的所述板(1)的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述板(1)通过蚀刻被切割。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，蚀刻是等离子蚀刻。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，通过激光进行或诱导切割

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，切割是机械地进行或诱导的，例如通过锯片。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，

在将所述板(11)附接到所述基底的步骤b)之前，在所述板的称为带凹槽面的一个面上挖处凹槽(19)，所述凹槽没有到达所述板的与所述带凹槽面相对的面，

在附着步骤b)期间，所述带凹槽面与所述牺牲层(13)接触，

在分离步骤c)期间，所述板经由与所述带凹槽面相对的面变薄，至少直到到达所述凹槽。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述牺牲层(3；13)质量上包括至少70％的粗聚合物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述粗聚合物由质量上多于70％的聚碳酸亚丙酯分子、其它聚碳酸酯分子和/或聚降冰片烯分子组成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述板(1；11)从晶片获得，所述晶片基本上包括硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs、砷化铟InAs、磷化铟InP、磷化镓GaP、锑化镓GaSb、锑化铟InSb、碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化铝AlN和/或金刚石。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述牺牲层(3；13)在100kPA时具有的转化到气态的转化温度为80℃至600℃，有利地为230℃至350℃。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述板(1；11)经由所述牺牲层(3；13)到所述基底(2；12)的附接在高于所述牺牲层的一种或多种材料的玻璃转化温度的温度时进行。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中，所述板(1；11)和所述基底(3；13)的膨胀系数相同或相异小于5％。