[发明专利]用于深度可选X射线分析的系统和方法

权利要求书

1.一种用于X射线分析的系统，所述系统包括：

至少一个X射线源，被配置为发射X射线，所述至少一个X射线源包括至少一个碳化硅子源，所述至少一个碳化硅子源位于至少一个导热衬底上或嵌入至少一个导热衬底中，并且所述至少一个碳化硅子源被配置为响应于对所述至少一个碳化硅子源的电子轰击而产生所述X射线，从所述至少一个X射线源发射的所述X射线中的至少一部分包括Si X射线发射线X射线；以及

至少一个X射线光具组，被配置为接收所述Si X射线发射线X射线并利用所述Si X射线发射线X射线中的至少一部分来照射样品。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述Si X射线发射线X射线包括Si Kα₁ X射线发射线X射线。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述至少一个X射线源还包括至少一个第二子源，所述至少一个第二子源位于所述至少一个导热衬底上或嵌入在所述至少一个导热衬底中，所述至少一个第二子源被配置为响应于对所述至少一个第二子源的电子轰击而产生X射线，所述至少一个第二子源包括不同于碳化硅的至少一种材料，从所述至少一个X射线源发射的所述X射线中的至少一部分包括所述至少一种材料的X射线发射线X射线。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述至少一种材料选自由下列项组成的组：Al、Ag、Rh、Cr、Au、Ti、Fe和Mo，并且从所述至少一个X射线源发射的X射线包括下列项中的至少一项：Al Kα X射线发射线X射线；Ag Lα X射线发射线X射线；Rh Lα X射线发射线X射线；CrKα₁X射线发射线X射线；Au Lα X射线发射线X射线；Ti Kα X射线发射线X射线；Fe Kα X射线发射线X射线；Mo Lα X射线发射线X射线；Mo Lβ₁X射线发射线X射线，以及Mo Lβ₂ X射线发射线X射线。

5.根据权利要求3所述的系统，其中，所述至少一个X射线光具组包括多个X射线光具组，所述多个X射线光具组被配置为相对于所述至少一个X射线源和/或所述样品被移动，使得所述多个X射线光具组中的所选择的X射线光具组被定位以接收从所述至少一个X射线源发射的X射线并用第三X射线束照射所述样品。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述多个X射线光具组中的第一X射线光具组被配置用于将所述Si X射线发射线X射线转换为所述第三X射线束，并且所述多个X射线光具组中的第二X射线光具组被配置用于将所述至少一种材料的X射线发射线X射线转换为所述第三X射线束。

7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述至少一个光具组被配置为将所述Si X射线发射线X射线中的至少一部分聚焦在所述样品上。

8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述至少一个光具组包括：

至少一个第一X射线光学元件，被配置为接收从所述至少一个X射线源发射的X射线中的至少一部分并产生经准直第一X射线束；

至少一个第二X射线光学元件，被配置为接收所述经准直第一X射线束的至少一部分并发射包括所述Si X射线发射线X射线的单色第二X射线束；以及

至少一个第三X射线光学元件，被配置为接收所述单色第二X射线束的至少一部分并且将第三X射线束聚焦在所述样品上。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述至少一个第一X射线光学元件包括至少一个轴向对称的X射线准直光学器件。

10.根据权利要求8所述的系统，其中，所述至少一个第二X射线光学元件包括至少一个X射线晶体单色仪。

11.根据权利要求8所述的系统，其中，所述至少一个第三X射线光学元件包括至少一个轴向对称的X射线聚焦光学器件。