[发明专利]液晶化合物取向层转印用取向薄膜

权利要求书

1.一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜用于通过以下（A1）~（D1）中的任一方法使液晶化合物取向层进行取向，

（A1）对取向薄膜进行刷磨处理，使设置在取向薄膜的刷磨处理面的液晶化合物取向层通过刷磨处理面的取向控制力而取向；

（B1）在取向薄膜上涂布液晶化合物层并对液晶化合物层照射偏振光，由此进行取向；

（C1）在取向薄膜上设置取向控制层并对取向控制层进行刷磨处理，使设置在取向控制层上的液晶化合物取向层通过刷磨处理面的取向控制力而取向；

（D1）在取向薄膜上设置取向控制层并对取向控制层照射偏振光，使设置在取向控制层上的液晶化合物取向层通过取向控制层的取向控制力而取向，

取向薄膜的取向方向跟取向薄膜的流动方向之间的角度、或取向薄膜的取向方向跟与流动方向正交的方向之间的角度以在薄膜的宽度方向上距离各端部的内侧位于5cm的地点的两端部、中央部、和位于中央部与两端部的中间的中间部这5处测得的值中的最大值计为14度以下。

2.根据权利要求1所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其中，液晶化合物取向层沿相对于取向薄膜的流动方向为倾斜的方向取向。

3.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，将所述取向薄膜的慢轴方向的折射率设为nx，将快轴方向的折射率设为ny时，所述ny为1.58以上且1.62以下，所述nx为1.68以上且1.71以下。

4.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的在所述5处测得的值中的最大值为3度以下。

5.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为7度以下。

6.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的宽度方向上的取向角的角度差为2度以下。

7.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。

8.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的流动方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟取向薄膜的与流动方向正交的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。

9.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为4%以下。

10.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，相对于所述取向薄膜的流动方向为45度的方向上的150℃30分钟的热收缩率、跟相对于取向薄膜的流动方向为135度的方向上的150℃30分钟的热收缩率之差为1%以下。

11.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的95℃最大热收缩率为0%以上且0.8%以下。

12.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，所述取向薄膜的表面电阻为1×10⁵Ω/□以上且1×10¹³Ω/□以下。