[发明专利]真空处理装置

说明书

本发明提供一种真空处理装置，其在真空室内用热板将台架上设置的被处理基制在比室温高的规定温度的同时实施真空处理的情况下，可尽量抑制例如导致薄膜劣化这类对真空处理的不良影响。台架(4)具有基台(41)和设置在该基台上可加处理基板(Sw)的热板(43)，还包括留出规定间隙地围绕该热板的金属材质的盘(7)和防着板(8)。与热板相对的盘形环的表面部分采用通过在其基材金属上实面处理而降低了辐射率的低辐射率层(73)构成。

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置，其具有可形成真空气氛的真空室，在真空室内设置有台架，在所述台架上设置被处理基板。

背景技术

例如，在半导体器件的制造工序中，有在可形成真空气氛的真空室内在硅晶片等被处理基板上实施规定的真空处理的工序，在这样的真空处理中，使用的是采用真空蒸镀法、离子镀法、溅射法或者等离子体CVD法的成膜装置、干蚀刻装置及真空热处理装置等。例如，采用溅射法实施成膜的真空处理装置(溅射装置)具有可形成真空气氛的真空室，其上部配置有溅射用靶。在真空室内的下部，与靶相对地设置有台架，在所述台架上设置被处理基板。

台架具有：基台，其是金属材质的，具有与被处理基板的轮廓对应的例如筒状的轮廓；以及卡板，其设置在基台的上表面，比基台和基板的外形尺寸小(例如参照专利文献1)。通常已知在成膜过程中，当将被处理基板控制在比室温高的规定温度范围内时，基台和卡板之间间隔有例如氮化铝材质的热板，并且在基台内设置使冷媒循环的冷媒循环路径，通过经热板的导热，将被处理基板控制在规定温度范围内。此外，可将热板一体地设置在卡板上。

在使用上述溅射装置在被处理基板上形成规定的薄膜时，在用卡板静电吸附被处理基板的状态下，将稀有气体(以及反应气体)导入真空气氛的真空室内，向靶施加例如带负电位的电力。根据需要，对热板进行加热，或者使冷媒在基台内设置的路径中循环，通过经热板的导热，将被处理基板控制在比室温高的规定温度范围内。由此，在真空室内形成等离子体气氛，等离子体中电离的稀有气体的离子碰撞靶，使靶受到溅射，从靶飞散出的溅射粒子(通过在真空室内的真空处理而产生的物质)附着、堆积在被处理基板表面，形成与靶种类对应的规定的薄膜。

当对靶进行溅射时，虽然溅射粒子遵循规定的余弦定理从靶表面飞散，但是溅射粒子中的一部分也会朝被处理基板以外飞散。因此，在真空室中，通常为了防止其内壁上附着溅射粒子(经真空处理而产生的物质)，会设置金属材质的防着板，在基台和卡板周围，会留出间隔地设置有环状的挡板，其被称为盘形环(プラテンリング)，覆盖住在径向外侧露出的基台的上表面部分。

此处，已经发现当通过上述溅射装置在热板的加热下对被处理基板成膜时，有时不能形成具有所需薄膜质量的薄膜。因此，本申请的发明人经过深入研究，发现根据热板的加热温度，通过热板的辐射，与热板相对的盘形环的表面部分被加热，释放出各种气体(氧气或水蒸汽等)，该放出气体被带到薄膜中，导致薄膜质量劣化。这样的放出气体在例如通过干蚀刻装置对被处理基板进行干蚀刻时也可能会带来使蚀刻形状改变等不良影响。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利公开2014-91861号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是基于上述发现而产生的，其要解决的技术问题是提供一种真空处理装置，其在用热板将台架上设置的被处理基板控制在比室温高的规定温度的同时实施真空处理的情况下，可尽量抑制例如导致薄膜质量劣化这类对真空处理的不良影响。

解决技术问题的手段