[发明专利]通过合金化和蚀刻铂合金图案化铂

权利要求书

1.一种图案化铂的方法，其包括：

在半导体衬底上沉积铂层；

在所述铂层上方形成经图案化的光致抗蚀剂层，留下所述铂层中的暴露区域；

在所述铂层和所述暴露区域上方沉积铝层；

在所述铂层的所述暴露区域中形成铝和铂的合金；和

在所述铂层的所述暴露区域处蚀刻所述铝层以及合金化的铝铂，从而留下所述铂层的剩余部分以在所述衬底上形成经图案化的铂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述铂层的所述暴露区域中蚀刻所述铝层以及所述合金化的铝铂包括使用稀王水即3HCL:HNO₃+H₂O蚀刻剂的湿法蚀刻浸浴工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述铂层的所述暴露区域中蚀刻所述铝层以及所述合金化的铝铂包括使用3:1HCl:H₂O₂的稀蚀刻剂的湿法蚀刻喷涂工具工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述经图案化的光致抗蚀剂层之前，在所述半导体衬底上的所述铂层上形成薄硬掩模层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述薄硬掩模层通过SiO₂的物理电化学气相沉积即PECVD形成，并且

执行湿法蚀刻，以根据所述经图案化的光致抗蚀剂层对所述薄硬掩模进行图案化，并去除所述光致抗蚀剂层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述铂层和所述暴露区域上方沉积铝层包括执行溅射沉积工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述铂层的所述暴露区域处形成铝和铂的合金包括在氮气气氛中退火以在所述铂层的所述暴露区域处形成所述合金。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在沉积所述铂层之前，在所述半导体衬底上方形成粘合层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘合层包括氧化铝即Al₂O₃。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底上沉积所述铂层包括执行溅射沉积工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述铂层的厚度为0.4μm。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述铝层的厚度为0.8μm或更厚。

13.根据权利要求5所述的方法，进一步包括通过在HF或BHF中执行短浸来去除所述薄硬掩模层。

14.一种图案化铂的方法，其包括：

在所述半导体衬底上方沉积粘合层；

在半导体衬底上溅射沉积铂层；

在所述铂层上方形成经图案化的光致抗蚀剂层，留下所述铂层中的暴露区域；

在所述铂层和所述暴露区域上溅射沉积铝层；

通过在氮气气氛中退火，在所述铂层的所述暴露区域处形成铝和铂的合金，以在所述铂层的所述暴露区域处形成PtAl₂合金；和

通过使用稀王水即3HCL:HNO₃+H₂O蚀刻剂执行湿法蚀刻浸浴工艺，在所述铂层的所述暴露区域处蚀刻所述铝层以及合金化的铝铂，从而留下所述铂层的剩余部分以在所述衬底上形成经图案化的铂层。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

在形成所述经图案化的光致抗蚀剂层之前，在所述半导体衬底上的所述铂层上形成薄硬掩模层，根据所述经图案化的光致抗蚀剂层通过执行湿法蚀刻以对所述薄硬掩模进行图案化并去除所述光致抗蚀剂层。