[发明专利]蓄冷材料、冷冻机、超导线圈内置装置以及蓄冷材料的制造方法有效
| 申请号： | 201980063190.2 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112752824B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 河本崇博;江口朋子;山下知大;萩原将也;齐藤明子;碓井大地 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | F25B9/00 | 分类号： | F25B9/00;C09K5/14;H01F1/01;H01F6/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 冷冻机 超导 线圈 内置 装置 以及 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种蓄冷材料，其为包含ThCr2Si2型结构占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下，
所述粒体的粒径包括在0.01mm～1mm的范围，
将投影像的面积设为A，且将与所述投影像外接的最小的外接圆的面积设为M时，在所有投影方向上，M/A所示的形状系数包括在1.0～5.0的范围；
在所述ThCr2Si2型结构中，Th位点为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc和Y中的至少1种元素，Cr位点为选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少1种元素，Si位点为选自Si和Ge中的至少1种元素。
2.一种冷冻机，其搭载有权利要求1所述的蓄冷材料。
3.一种超导线圈内置装置，其搭载有权利要求2所述的冷冻机，该超导线圈内置装置中，冷冻机中所搭载的蓄冷材料在外部磁场为1000Oe、温度为5K以下的磁化是10emu/g以下。
4.一种蓄冷材料的制造方法，其为权利要求1所述的蓄冷材料的制造方法，其包括：
将能够取得ThCr2Si2型结构的金属间化合物的成分元素以其化学计量比配合并熔融的工序；和
将所述熔融得到的液体注入动态冷却介质并使之骤冷凝固而制成粒体的工序。
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