[发明专利]外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片在审
| 申请号： | 201980062141.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN112753092A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 土屋庆太郎;萩本和德;篠宫胜 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 制造 方法 生长 用硅系基板 | ||
1.一种外延片的制造方法，其特征在于，其具有：
准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；
在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及
在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。
2.根据权利要求1所述的外延片的制造方法，其特征在于，以同心圆状形成多条所述沟槽。
3.根据权利要求1或2所述的外延片的制造方法，其特征在于，所述沟槽通过机械加工、研磨或干法蚀刻而形成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，以使所述沟槽在所述硅系基板的直径方向上为10～100条/mm的方式形成所述沟槽。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，以使所述沟槽在所述硅系基板的直径方向上的宽度为4～30μm，且算术平均粗糙度Ra＝0.1～10μm的方式形成所述沟槽。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，在所述进行外延生长的工序中，至少使氮化镓(GaN)层生长。
7.一种外延生长用硅系基板，其为用于外延生长的硅系基板，其特征在于，其具有：
形成于所述硅系基板的外周部的倒角部；以及
形成于所述倒角部且沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽。
8.根据权利要求7所述的外延生长用硅系基板，其特征在于，以同心圆状形成有多条所述沟槽。
9.一种外延片，其特征在于，在权利要求7或8所述的外延生长用硅系基板上具有外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
