[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，其具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，

所述薄膜由含有硅的材料形成，

所述蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，

在所述蚀刻停止膜中，所述铪的含量相对于所述铪及所述铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，

在所述蚀刻停止膜中，所述铪的含量相对于所述铪及所述铝的合计含量的比率以原子％计为0.60以上。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述蚀刻停止膜的氧含量为60原子％以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述蚀刻停止膜具有包含铪与氧的键、以及铝与氧的键的状态的无定形结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述蚀刻停止膜由铪、铝及氧形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述蚀刻停止膜与所述透光性基板的主表面相接而形成。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述蚀刻停止膜的厚度为2nm以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述薄膜为相移膜，且具有下述功能：使透过所述相移膜后的曝光光和仅在与所述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差。

9.根据权利要求8所述的掩模坯料，其中，

在所述相移膜上具备遮光膜。

10.根据权利要求9所述的掩模坯料，其中，

所述遮光膜由含有铬的材料形成。

11.一种转印用掩模，其具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和具有转印图案的薄膜的结构，

所述薄膜由含有硅的材料形成，

所述蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，

在所述蚀刻停止膜中，所述铪的含量相对于所述铪及所述铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。

12.根据权利要求11所述的转印用掩模，其中，

在所述蚀刻停止膜中，所述铪的含量相对于所述铪及所述铝的合计含量的比率以原子％计为0.60以上。

13.根据权利要求11或12所述的转印用掩模，其中，

所述蚀刻停止膜的氧含量为60原子％以上。

14.根据权利要求11～13中任一项所述的转印用掩模，其中，

所述蚀刻停止膜具有包含铪与氧的键、以及铝与氧的键的状态的无定形结构。

15.根据权利要求11～14中任一项所述的转印用掩模，其中，

所述蚀刻停止膜由铪、铝及氧形成。

16.根据权利要求11～15中任一项所述的转印用掩模，其中，

所述蚀刻停止膜与所述透光性基板的主表面相接而形成。

17.根据权利要求11～16中任一项所述的转印用掩模，其中，

所述蚀刻停止膜的厚度为2nm以上。

18.根据权利要求11～17中任一项所述的转印用掩模，其中，

所述薄膜为相移膜，所述相移膜具有下述功能：使透过所述相移膜后的曝光光和仅在与所述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差。