[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体基板

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括：

结合层形成工序，在第一基板的一部分的多个结合层区域，形成以较共价键更弱的力结合半导体薄膜的结合层；

薄膜形成工序，在所述第一基板中的所述多个结合层区域及条带状连接所述多个结合层区域的非结合层区域形成所述半导体薄膜；

分离工序，在所述半导体薄膜的一部分区域与所述第一基板的所述非结合层区域进行共价键合的状态下，通过将与所述第一基板不同的分离用基板所具有的有机物层结合于所述半导体薄膜，从而从所述第一基板分离所述半导体薄膜；

附着物除去工序，将从所述第一基板分离后的所述半导体薄膜的剥离面所附着的所述结合层除去；以及

接合工序，将除去所述结合层后的所述半导体薄膜接合于与所述第一基板不同的第二基板。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述结合层形成工序中，以所述结合层区域的面积大于所述非结合层区域的面积的方式形成所述结合层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述分离工序前，还包括：

薄膜除去工序，将所述半导体薄膜的一部分除去；以及

固定层形成工序，形成从所述半导体薄膜延伸至所述半导体薄膜经除去的区域的固定层。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述薄膜除去工序中，将形成于所述非结合层区域的所述半导体薄膜除去。

5.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，所述结合层形成工序含有：

在所述结合层区域及所述非结合层区域形成所述结合层的工序；以及

在形成所述结合层后，将形成于所述非结合层区域的所述结合层除去的工序，

在所述固定层形成工序中，形成从所述半导体薄膜延伸至所述非结合层区域的所述固定层。

6.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述薄膜形成工序与所述固定层形成工序之间，还包括：通过在形成于所述结合层上的所述半导体薄膜形成槽，从而将所述半导体薄膜分割为多个岛的工序，

在所述结合层形成工序中，将形成有所述槽的区域的至少一部分区域所含的所述结合层除去。

7.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述分离工序中，通过使所述分离用基板向远离所述第一基板的方向移动，从而将所述固定层切断。

8.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述结合层形成工序中，形成含有碳原子的材料露出的所述结合层。

9.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述薄膜形成工序中，形成含有选自氮化物半导体、III-V族化合物半导体、含Si的半导体及氧化物半导体中任一种的半导体的所述半导体薄膜。

10.一种半导体元件的制造方法，包括：

结合层形成工序，在第一基板的一部分的结合层区域，形成以较共价键更弱的力结合半导体薄膜的结合层；

薄膜形成工序，在所述第一基板的上方的所述结合层区域使所述半导体薄膜结晶成长；

固定层形成工序，在以覆盖所述半导体薄膜的表面的至少一部分的方式而与所述半导体薄膜接触的状态下，形成从所述半导体薄膜延伸至所述第一基板中的未形成有所述半导体薄膜的区域的固定层；

分离工序，通过将与所述第一基板不同的分离用基板所具有的有机物层结合于所述半导体薄膜，从而从所述第一基板分离所述半导体薄膜；

附着物除去工序，将从所述第一基板分离后的所述半导体薄膜的剥离面所附着的所述结合层除去；以及

接合工序，将除去所述结合层后的所述半导体薄膜接合于与所述第一基板不同的第二基板。