[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明所涉及的制造方法用于制造半导体装置，该半导体装置包括：第一部件，具有第一连接部且具有直线状延伸的边；第二部件，具有第二连接部；及胶黏剂层，配置于第一部件及第二部件之间。本发明的制造方法包括：层叠工序，准备依次层叠第一部件、胶黏剂层及第二部件而成的层叠体；及压接工序，在对层叠体沿厚度方向施加按压力的状态下，对层叠体照射用于加热的激光，在压接工序中，以从第一部件的边的一端的周缘部朝向另一端的周缘部依次形成激光照射部、激光非照射部及激光照射部的方式，对层叠体照射激光。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，打线接合法被广泛适用于半导体芯片与基板的连接。打线接合法为使用金导线等金属细线连接半导体芯片和基板的方式。为了响应对半导体装置的高功能化、高集成化及高速化等的需求，称为倒装芯片连接(FC连接)的方式越来越普遍。FC连接为在半导体芯片或基板形成称为凸块的导电性突起，而在半导体芯片与基板之间直接连接的方式。

作为FC连接的方式，已知：使用焊料、锡、金、银及铜等进行金属接合的方法；施加超声波振动而进行金属接合的方法；及通过树脂的收缩力保持机械接触的方法等。这些方法中，从连接部的可靠性的观点出发，通常采用使用焊料、锡、金、银及铜等进行金属接合的方法。

作为连接半导体芯片和基板的方式，已知COB(Chip On Board：板上芯片)型连接方式。COB为FC连接的一种。并且，连接半导体芯片和半导体芯片的CoC(Chip On Chip：芯片上芯片)及连接半导体芯片和具有凸块或线路的半导体晶片的CoW(Chip On Wefer：晶片上芯片)也被分类为FC连接。专利文献1公开一种半导体晶片的接合方法。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-294382号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

如上所述，针对半导体装置(以下，根据情况，称为“封装件”。)强烈要求高功能化，具体而言，要求薄型化、小型化、针脚(凸块和/或线路)数的增加、间距或间隙的窄小化。作为制作要求进一步的小型化、薄型化及高功能化的封装件的技术，将上述连接方式进行了多阶段化的芯片堆叠型封装、POP(Package On Package：层叠封装)、TSV(Through SiliconVia：硅通孔)等技术也开始普及。这些技术将部件配置成立体状而不是平面状，因此能够使封装件变小，并且，对半导体装置的性能提高及降噪、安装面积的缩小、节电化也是有效的，作为下一代线路技术而备受瞩目。

从低成本化及高生产率的观点出发，有封装件组装时的半导体芯片间隔变窄的倾向。通过缩小相邻的半导体芯片的间隔，能够在基板上或晶片上搭载大量的半导体芯片，从而能够实现低成本化。并且，通过缩小相邻的半导体芯片的间隔，能够在小范围内组装不同种类的半导体芯片，从而还能够实现高密度化的安装。

在经由胶黏剂层将半导体芯片压接到基板或半导体晶片上来确保连接的情况下，胶黏剂层的形状通常为与半导体芯片相同的正方形或长方形。在压接工序之后，构成胶黏剂层的树脂材料从半导体芯片超出的部分称为圆角。在压接时，树脂材料以圆形流动，因此与半导体芯片的边部分的圆角相比，半导体芯片的角部的圆角变小。半导体芯片的角部(半导体芯片的边的端部)上的圆角称为覆盖范围。

在半导体芯片的角部没有圆角(胶黏剂)的情况下，有半导体装置的可靠性下降的倾向。为了确保覆盖范围，考虑提高胶黏剂的流动性，或者将压接时的条件设为高荷载化或高温化。但是，即使通过这些方式能够确保覆盖范围，另一方面，半导体芯片的边上的圆角变大，低成本化及高密度的安装变得困难。即，难以兼顾减小半导体芯片的边上的圆角和确保覆盖范围。

本发明的目的在于提供一种半导体芯片的边上的圆角小且可确保覆盖范围的半导体装置及其制造方法。