[发明专利]摄像装置和电子设备

权利要求书

1.一种摄像装置，包括：

第一基板，其包含将光转换成电荷的至少一个传感器部；

第二基板，其包含读出电路的第一部分，所述读出电路的第一部分具有至少一个第一晶体管，所述读出电路输出基于所述电荷的像素信号；和

第三基板，其包含对所述像素信号进行处理的逻辑电路，

其中，所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板按此顺序层叠着。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述第一基板还包含累积所述电荷的浮动扩散部，并且

所述至少一个第一晶体管包括放大晶体管，所述放大晶体管的栅极电极与所述浮动扩散部连接。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述至少一个传感器部包括多个传感器部，并且

所述读出电路包括针对所述多个传感器部中的各者而分别设置的模数转换电路。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述读出电路包括模数转换电路的第一部分，所述模数转换电路的第一部分含有比较电路，并且

所述至少一个第一晶体管包含于所述比较电路中。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述至少一个传感器部包括多个传感器部，

所述多个传感器部以行和列设置着，并且

所述读出电路包括针对所述多个传感器部的各列而分别设置的模数转换电路。

6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，

所述读出电路包括垂直信号线，并且

所述至少一个第一晶体管包括与所述垂直信号线连接的负载晶体管。

7.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，

所述读出电路包括采样保持电路，并且

所述至少一个第一晶体管包括：包含于所述采样保持电路中的输入晶体管。

8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述至少一个第一晶体管包括：

沟道区域，其设置在所述第二基板的半导体区域中；

栅极绝缘膜，其设置在所述沟道区域上；

栅极电极，其设置在所述栅极绝缘膜上；

源极区域，其设置在所述第二基板的所述半导体区域中且位于与所述沟道区域相邻的位置处；

漏极区域，其设置在所述第二基板的所述半导体区域中且位于在所述沟道区域的与所述源极区域相反的一侧与所述沟道区域相邻的位置处；

第一金属层，其设置得覆盖所述栅极电极的前表面；

第二金属层，其设置得覆盖所述源极区域的前表面；以及

第三金属层，其设置得覆盖所述漏极区域的前表面。

9.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述第三基板包含所述读出电路的第二部分，所述读出电路的第二部分与所述读出电路的第一部分连接，且所述读出电路的第二部分包括第二晶体管。

10.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述至少一个第一晶体管包括NMOS晶体管和/或PMOS晶体管，并且

所述至少一个第一晶体管接收和输出基于所述电荷的模拟信号，且所述第二晶体管接收和输出基于所述模拟信号的数字信号。

11.根据权利要求9所述的摄像装置，其中，所述至少一个传感器部包括：共用所述至少一个第一晶体管的多个传感器部。

12.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述至少一个传感器部包括光电二极管和传输晶体管。

13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述读出电路包括放大晶体管、复位晶体管和选择晶体管中的至少一者。