[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980058033.2 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112673479A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;德丸亮;笹川慎也;中山智则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一导电体；以及
所述第二氧化物上的第二导电体及第三导电体，
其中，所述第二导电体包括第一区域及第二区域，
所述第三导电体包括第三区域及第四区域，
所述第二区域位于所述第一区域的上方，
所述第四区域位于所述第三区域的上方，
所述第二导电体及所述第三导电体都包含钽及氮，
所述第一区域的相对于钽的氮的原子数比高于所述第二区域的相对于钽的氮的原子数比，
并且，所述第三区域的相对于钽的氮的原子数比高于所述第四区域的相对于钽的氮的原子数比。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第二导电体除了所述第一区域及所述第二区域之外还包括第五区域，
所述第三导电体除了所述第三区域及所述第四区域之外还包括第六区域，
所述第五区域位于所述第二区域的上方，
所述第六区域位于所述第四区域的上方，
所述第五区域的相对于钽的氮的原子数比高于所述第二区域的相对于钽的氮的原子数比，
并且所述第六区域的相对于钽的氮的原子数比高于所述第四区域的相对于钽的氮的原子数比。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中在所述第二导电体及所述第三导电体上设置有第二绝缘体。
4.一种半导体装置，包括：
第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一导电体；
所述第二氧化物上的第二导电体及第三导电体；
所述第二导电体上的第四导电体；以及
所述第三导电体上的第五导电体，
其中，所述第二导电体及所述第三导电体由具有取出氢且不容易氧化的特性的导电材料构成，
并且，所述第四导电体及所述第五导电体的导电率高于所述第二导电体及所述第三导电体的导电率。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中所述第二导电体及所述第三导电体都包含钽及氮。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，
其中在所述第四导电体及所述第五导电体上包括第二绝缘体。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中在所述第四导电体上设置有第六导电体，
在所述第五导电体上设置有第七导电体，
并且所述第六导电体及所述第七导电体由具有取出氢且不容易氧化的特性的导电材料构成。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
其中所述第二导电体、所述第三导电体、所述第六导电体及所述第七导电体都包含钽及氮。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，
其中在所述第六导电体及所述第七导电体上包括第二绝缘体。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物包含铟、元素M(M为铝、镓、钇或锡)和锌。
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