[发明专利]突状构造体、衬底、其制造方法、及发光元件

说明书

本发明的突状构造体(1)包含无机材料，区分为圆顶部(5)、及位于圆顶部(5)之下的基础部(7)，且圆顶部(5)的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部(5a)的微细凹凸构造，圆顶部(5)的高度(L₁)相对于圆顶部(5)的宽度(W₁)的比为0.25～0.6，基础部(7)的侧面(7a)相对于高度方向的倾斜角(θ)为0度以上且低于21度，将突状构造体(1)在高度方向上进行16分割时的每1区隔的倾斜角(θ)的变化量低于10度，基础部(7)的高度(L₂)相对于基础部(7)的宽度(W)的比为0.1～0.25，基础部(7)的宽度W(nm)相对于微细凹凸构造的平均间距(nm)的比为3～60。

技术领域

本发明涉及一种突状构造体、衬底、其制造方法、及发光元件。

本申请案主张基于2018年9月14日在日本提出申请的日本专利特愿2018-172847号的优先权，并将其内容援引至此。

背景技术

用于发光二极管等的半导体发光元件通常以透明树脂制密封材(透镜等)密封。密封材有时具有提高光提取效率的功能。

半导体发光元件中，发出紫外线区域的光的发光元件因紫外线较高的光能而用于各种领域。特别是深紫外线(DUV)区域的光，具有较强的杀菌作用，期待在医疗领域等用于病毒的杀菌等。

但发光元件存在光提取效率低的问题。此外，由于作为有机材料的密封材容易因紫外线而劣化，故不期望将通过密封材提高光提取效率的方法应用于发光元件。

作为能够提高半导体发光元件的光提取效率的半导体发光元件用衬底，提出以下者。

·一种半导体发光元件用衬底，其具有供形成包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面，且所述发光构造体形成面具备平坦部、从所述平坦部突出的多个大径突部、及多个小径突部，所述多个小径突部中的至少一部分从所述大径突部的外表面突出(专利文献1)。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2015/053363号

发明内容

[发明所要解决的问题]

专利文献1的半导体发光元件用衬底包含无机材料，故不容易因紫外线区域的光而劣化。但具备专利文献1的半导体发光元件用衬底、及半导体层的发光元件存在紫外线区域的光提取角度窄的问题。

另外，专利文献1中并未记载将大径突部及多个小径突部形成在衬底的光提取面。

本发明的目的在于：提供一种获得不容易因紫外线区域的光而劣化且光提取效率及光提取角度优异的发光元件的突状构造体及衬底、所述衬底的制造方法及使用所述衬底的发光元件。

[解决问题的技术手段]

本发明具有以下态样。

[1]一种突状构造体，包含无机材料，

区分为圆顶部、及位在所述圆顶部之下的基础部，且

所述圆顶部的表面具有以100～1000nm的平均间距排列有多个凸部的微细凹凸构造，

所述圆顶部的高度(nm)相对于所述圆顶部的宽度(nm)的比为0.25～0.6，

所述基础部的侧面相对于高度方向的倾斜角为0度以上且低于21度，将所述突状构造体在高度方向上进行16分割时的每1区隔的所述倾斜角的变化量低于10度，

所述基础部的高度(nm)相对于所述基础部的宽度(nm)的比为0.1～0.25，