[发明专利]RF离子阱离子加载方法在审
| 申请号： | 201980055767.5 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112640036A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | M·古纳 | 申请（专利权）人： | DH科技发展私人贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf 离子 加载 方法 | ||
1.一种在质谱仪中处理离子的方法，包括：
将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，从而使所述离子的至少一部分碎裂成多种离子碎片，所述碰撞室包括多个杆，所述多个杆中的至少一个能被施加RF电压以径向约束所述离子碎片的至少一部分，
选择施加到所述碰撞室的所述RF电压，从而有利于径向约束具有大于阈值的m/z比的离子(“高m/z离子”)，
选择施加到下游分析仪离子阱的至少一个杆的至少一个RF电压，从而有利于径向约束所述高m/z离子，
将所述离子从所述碰撞室释放到所述下游分析仪离子阱中，
向所述分析仪离子阱施加压力脉冲，从而加速所述分析仪离子阱从所述碰撞室接收的所述离子的冷却，
随后，将施加到所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱的所述RF电压降低至适于径向约束具有低于所述阈值的m/z比的离子(“低m/z离子”)的水平，
将多个前驱物离子引入所述碰撞室中，以产生多种离子碎片，
将所述离子从所述碰撞室引入所述分析仪离子阱中，以及
使用质量选择性轴向喷射从所述分析仪离子阱释放所述离子。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述碎片离子引入所述分析仪离子阱中的同时，将所述压力脉冲施加到所述下游分析仪离子阱。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于将所述离子引入所述分析仪离子阱中，延迟将所述压力脉冲施加到所述分析仪离子阱。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述离子引入所述分析仪离子阱之前开始将所述压力脉冲施加到所述分析仪离子阱。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述分析仪离子阱释放的离子包括所述碎片离子和所述分析仪离子阱中包含的剩余前驱物离子的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用离子源产生离子，以及
使用过滤器从产生的所述离子选择具有所期望的m/z比的所述前驱物离子，以供引入所述碰撞室中。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述过滤器包括RF/DC过滤器。
8.根据权利要求1所述的方法，还向所述碰撞室施加轴向场，以在所述碰撞室中提供所述离子的轴向约束。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱以径向约束所述高m/z离子碎片的所述RF电压被选定为产生大于约0.16的Mathieu参数(q)。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到所述碰撞室和所述下游分析仪离子阱以径向约束所述低m/z离子碎片的所述RF电压被选定为产生小于约0.906且大于约0.05的Mathieu参数(q)。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体压力脉冲使所述分析仪离子阱的内部压强增加至少约100％且持续至少约2毫秒。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子碎片具有等于或大于约50的m/z比。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子碎片具有等于或小于约1000的m/z比。
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