[发明专利]深紫外透明的氮化铝晶体及其形成方法在审
| 申请号： | 201980054233.0 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112567079A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | R·T·伯恩多考夫;J·R·格兰达基;陈贱峰;王时超;木村徹;T·米巴赫;山岡慶祐;L·J·邵瓦尔特 | 申请（专利权）人： | 晶化成半导体公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02;C30B35/00;C30B23/00;C30B23/02;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 常晓慧 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 透明 氮化 晶体 及其 形成 方法 | ||
1.一种AlN单晶，在5.85eV至6.0eV的入射光子能量范围内具有在约0.2eV至约1.8eV的范围的乌尔巴赫能量，乌尔巴赫能量EU定义为：
其中α为AlN单晶在入射光子能量hν下的吸收系数，以及α0为与零光子能量下的吸收系数相对应的常数。
2.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，乌尔巴赫能量在约0.21eV至约1.0eV的范围内。
3.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，所述AlN单晶为直径至少约25mm的基底。
4.根据权利要求3所述的AlN单晶，其中，直径为至少约50mm。
5.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，对于220nm至280nm的整个波长范围，所述AlN单晶的紫外(UV)吸收系数小于10cm-1。
6.根据权利要求5所述的AlN单晶，其中，对于220nm至280nm的整个波长范围，紫外吸收系数为不小于约5cm-1。
7.根据权利要求5所述的AlN单晶，其中，对于220nm至280nm的整个波长范围，所述紫外吸收系数在±2cm-1内恒定。
8.根据权利要求5所述的AlN单晶，其中，对于220nm至280nm的整个波长范围，所述紫外吸收系数在±1cm-1内恒定。
9.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，对于210nm至220nm的整个波长范围，所述AlN单晶的紫外(UV)吸收系数小于30cm-1。
10.根据权利要求9所述的AlN单晶，其中，对于210nm至220nm的整个波长范围，紫外吸收系数为不小于约5cm-1。
11.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，对于240nm至280nm的整个波长范围，所述AlN单晶的紫外(UV)吸收系数小于8cm-1。
12.根据权利要求11所述的AlN单晶，其中，对于240nm至280nm的整个波长范围，紫外吸收系数为不小于约5cm-1。
13.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，对于215nm至220nm的整个波长范围，所述AlN单晶的紫外(UV)吸收系数小于20cm-1。
14.根据权利要求13所述的AlN单晶，其中，对于220nm的波长，紫外吸收系数小于15cm-1。
15.根据权利要求13所述的AlN单晶，其中，对于215nm至220nm的整个波长范围，紫外吸收系数为不小于约5cm-1。
16.根据权利要求13所述的AlN单晶，其中，对于215nm至220nm的整个波长范围，紫外吸收系数为不小于约10cm-1。
17.根据权利要求1所述的AlN单晶，其中，对于220nm至240nm的整个波长范围，所述AlN单晶的紫外(UV)吸收系数小于15cm-1。
18.根据权利要求17所述的AlN单晶，其中，对于230nm的波长，紫外吸收系数小于10cm-1。
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