[发明专利]溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质有效
| 申请号： | 201980054069.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112585295B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 增田爱美;清水正义;岩渊靖幸 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;G11B5/64;G11B5/851;H01F10/16;C22C1/04;C22C19/07;C22C32/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 磁性 以及 垂直 记录 介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，其含有0.05at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～60vol％，剩余部分至少包含Co和Pt，除Bi氧化物外的金属氧化物由选自由Co、Cr、Si、Ti以及B构成的组中的至少一种元素的氧化物组成。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
以金属氧化物的形式含有Bi的一部分或全部。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
含有0.5at％以上的Bi。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
还含有0.5at％～30at％的选自由Au、Ag、B、Cu、Cr、Ge、Ir、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Ta、W以及V构成的组中的一种以上。
5.一种磁性膜，其为垂直磁记录方式的磁记录介质用的磁性膜，所述磁性膜含有0.5at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～60vol％，剩余部分至少包含Co和Pt，除Bi氧化物外的金属氧化物由选自由Co、Cr、Si、Ti以及B构成的组中的至少一种元素的氧化物组成。
6.根据权利要求5所述的磁性膜，其中，
还含有0.5at％～30at％的选自由Au、Ag、B、Cu、Cr、Ge、Ir、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Ta、W以及V构成的组中的一种以上。
7.一种垂直磁记录介质，具备权利要求5或6所述的磁性膜。
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