[发明专利]微流体装置和制造微流体装置的方法

权利要求书

1.一种微流体装置，其包括:

设置在玻璃基基板中的流动通道；以及

与玻璃基基板结合并至少部分覆盖流动通道的盖板，

其中盖板的厚度为至多200μm。

2.根据权利要求1所述的微流体装置，进一步包括：

穿过玻璃基基板或盖板中的至少一者开放并与流动通道流体连通的入口；以及

穿过玻璃基基板或盖板中的至少一者开放并与流动通道流体连通的出口。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的微流体装置，其中：

第一玻璃基层限定流动通道的底部；

第二玻璃基层限定流动通道的侧壁；以及

盖板限定流动通道的顶部。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的微流体装置，其中盖板的厚度在100μm至180μm的范围内。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的微流体装置，其中盖板包括：

56摩尔％至72摩尔％的SiO₂；

5摩尔％至22摩尔％的Al₂O₃；

0摩尔％至15摩尔％的B₂O₃；

3摩尔％至25摩尔％的Na₂O；

0摩尔％至5摩尔％的K₂O；

1摩尔％至6摩尔％的MgO；

0摩尔％至1摩尔％的SnO₂。

6.根据权利要求5所述的微流体装置，其中盖板进一步包括：

0摩尔％至7摩尔％的Li₂O；以及

0摩尔％至10摩尔％的P₂O₅。

7.根据权利要求5所述的微流体装置，其中盖板进一步包括：

0摩尔％至3摩尔％的CaO；以及

0摩尔％至2摩尔％的ZrO₂。

8.根据权利要求7所述的微流体装置，其中盖板进一步包括：

0摩尔％至6摩尔％ZnO。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的微流体装置，其中盖板被配置为在400nm至750nm的波长范围内具有与纯二氧化硅基板的自发荧光一样低的自发荧光。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的微流体装置，其中盖板被配置为具有至多约100nm/mm的平均表面倾斜度或坡度，所述平均表面倾斜度或坡度用激光干涉仪测量。

11.根据权利要求10所述的微流体装置，其中平均表面倾斜度或坡度为至多约50nm/mm。

12.根据权利要求1-11中任意一项所述的微流体装置，其中盖板被配置为具有至多约10nm/μm²的表面粗糙度。

13.根据权利要求12所述的微流体装置，其中表面粗糙度为至多约5nm/μm²。

14.根据权利要求1-13中任意一项所述的微流体装置，其中盖板以结合体积被结合到玻璃基基板，所述结合体积包括扩散到玻璃基基板和盖板中的每一者中的结合材料。

15.根据权利要求1-14中任意一项所述的微流体装置，其包括设置在玻璃基基板和盖板之间的结合层。

16.根据权利要求15所述的微流体装置，其中结合层包括金属。