[发明专利]RF返回电流损耗降低的功率放大器

权利要求书

1.一种射频RF功率放大器封装，包括：

半导体管芯(100)，所述半导体管芯包括：

RF功率晶体管，所述RF功率晶体管具有：

输出键合焊盘(152)；

输入键合焊盘(150)；

连接到所述输入键合焊盘的多个输入引脚(151)；

连接到所述输出键合焊盘的多个输出引脚(153)；

布置在所述RF功率放大器封装的输入侧的输入引线(10)和布置在所述RF功率放大器封装的输出侧的输出引线(11)；

第一键合线连接件(2)，所述第一键合线连接件从所述输入键合焊盘向所述RF功率放大器封装的输入侧延伸，并且将所述输入键合焊盘直接或间接连接至所述输入引线；

第二键合线连接件(4)，所述第二键合线连接件从所述输出键合焊盘向所述RF功率放大器封装的输出侧延伸，并且将所述输出键合焊盘直接或间接连接至所述输出引线；

其特征在于，所述RF功率放大器封装还包括多个屏蔽件，所述多个屏蔽件中的每个屏蔽件被布置在所述多个输入引脚的相应输入引脚和所述多个输出引脚的相应输出引脚之间，并与所述相应输入引脚和输出引脚一起延伸，其中所述多个屏蔽件中的每个屏蔽件连接到所述RF功率晶体管的接地端子，并且其中所述多个输入引脚中的每个输入引脚、所述多个输出引脚中的每个输出引脚以及所述多个屏蔽件中的每个屏蔽件使用多个金属层(20-23)的金属层堆叠来形成，所述多个金属层中上金属层的厚度大于下金属层的厚度；

其中，所述多个输入引脚中的每个输入引脚在所述RF功率放大器封装的输入侧与所述输入键合焊盘之间的区域中的物理延伸比在所述输入键合焊盘与所述RF功率放大器封装的输出侧之间的区域中的物理延伸大，其中，所述多个输入引脚中的每个输入引脚在所述RF功率放大器封装的输入侧与所述输入键合焊盘之间的区域中物理延伸大于70％；和/或

其中，所述多个输出引脚中的每个输出引脚在所述输出键合焊盘与所述RF功率放大器封装的输出侧之间的区域中的物理延伸比在所述RF功率放大器封装的输入侧与所述输出键合焊盘之间的区域中的物理延伸大，其中，所述多个输出引脚中的每个输出引脚在所述输出键合焊盘和所述RF功率放大器封装的输出侧之间的区域中物理延伸大于70％。

2.根据权利要求1所述的RF功率放大器封装，其中，所述输入键合焊盘被分组为输入键合条，并且其中，所述输出键合焊盘被分组为输出键合条。

3.根据权利要求2所述的RF功率放大器封装，其中，连接到所述输出键合条的每个输出引脚与所述多个输出引脚中的相应的输出引脚对应，并且，连接到所述输入键合条的每个输入引脚与所述多个输入引脚中的相应的输入引脚对应。

4.根据权利要求2或3所述的RF功率放大器封装，其中，所述输出引脚在所述输入键合条的下方延伸，或者其中，所述输入引脚在所述输出键合条的下方延伸。

5.根据权利要求中1至3中任一项所述的RF功率放大器封装，其中，所述输出键合焊盘被布置成更靠近所述半导体管芯的最靠近所述RF功率放大器封装的输入侧的边缘；

其中，所述RF功率晶体管还包括：

布置在所述半导体管芯上并且在所述输出键合焊盘与所述输出侧之间的辅助输出键合焊盘；

其中，所述第二键合线连接件包括多个第一输出键合线(4')和多个第二输出键合线(4”)，所述多个第一输出键合线在所述输出键合焊盘和所述辅助输出键合焊盘之间延伸，所述多个第二输出键合线从所述辅助输出键合焊盘向所述输出引线延伸；

其中，所述辅助输出键合焊盘被分组为辅助输出键合条(160)。