[发明专利]利用机器学习从原始图像自动选择高品质平均扫描电镜图像

说明书

一种用于评估印制图案的图像的方法由至少一个可编程处理器实施。所述方法包括获得(2310,2320)所述印制图案的第一平均图像，其中所述第一平均图像是通过对所述印制图案的原始图像进行平均化而生成的。所述方法也包括识别(2330)第一平均图像的一个或更多个特征。所述方法还包括由所述可编程处理器执行图像品质分级模型并且至少基于所述一个或更多个特征来评估(2340)所述第一平均图像。所述评估包括由所述图像品质分级模型来确定(2350)所述第一平均图像是否满足指标。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年8月15日递交的美国申请62/764,664的优先权，并且所述申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本文中的描述总体涉及如与用于光刻过程的过程模型一起使用的量测，并且更具体地涉及用于使用机器学习算法来自动选择供执行高品质量测所获取的图像的设备、方法和计算机程序产品。

背景技术

光刻投影设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供与IC的单层对应的图案(“设计布局”)，并且这一图案可以通过诸如穿过图案形成装置上的图案辐射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。通常，单个衬底包括被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有减小比率M(例如，4)，所以衬底被移动的速率F将是投影束扫描图案形成装置的速率的1/M倍。关于光刻装置的更多信息可以在例如以引用的方式并入本文中的US 6,046,792中找到。

在将所述图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些过程都旨在最终完成器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将设置在衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割等技术，将这些器件互相分开，据此单独的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。

因而，制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用多个制造过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。这些层和特征通常使用例如淀积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和处理。可在衬底上的多个管芯上制造多个器件，且然后将其分成单独的器件。此器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案形成步骤，诸如在光刻设备中使用图案形成装置的光学和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转印到衬底上，并且通常但可选地涉及到一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备的抗蚀剂显影、使用烘焙工具的衬底烘焙、使用蚀刻设备而使用图案进行蚀刻等。

如所提及的，光刻术是制造器件(诸如IC)中的核步骤，其中，形成于衬底上的图案限定器件的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它器件。

随着半导体制造过程继续进步，几十年来，功能元件的尺寸已经不断地减小的同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加这遵循着通常称为“莫尔定律”的趋势。在当前的技术状态下，使用光刻投影设备来制造器件的多个层，光刻投影设备使用来自深紫外线照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而形成具有远低于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源)的辐射的波长的一半)的尺寸的单个功能元件。