[发明专利]激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置

说明书

提供一种激光发光电路(4)，使由多个LD(1a、1b、1c)构成的LD阵列(1)同时或者依次放射脉冲状的激光。激光发光电路(4)具备：多个LD，阳极相互电连接；开关元件(41)，电连接到各LD的阴极；驱动电路(42)，控制开关元件；串联电路，将电容器(C)与电阻电串联连接；LD电源输入端子(50)，电连接到多个LD的共用的阳极，用于对电容器供给电荷；驱动电路电源输入端子(51)，对驱动电路供给电力；以及脉冲信号输入端子(52a、52b、52c)，分别电连接到驱动电路，并输入脉冲信号。

技术领域

本公开涉及激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置。

背景技术

已知通过将脉冲状的激光照射到对象物并观测由对象物反射的反射光从而测定与对象物的距离的测距单元。为了放射脉冲状的激光，多使用激光二极管(LD)作为光源。另外，由于针对大范围进行距离测定，因此，由多个LD构成的LD阵列被作为光源使用。

在对象物相对于测距单元相对地移动的情况下，例如在测距单元安装于汽车等移动物的情况下，为了避免移动物与对象物的碰撞，期望使用于距离测定的脉冲发光的每单位时间的次数增加，并增加每单位时间的距离测定的次数。

测距装置将脉冲状的光从LD等照射部照射到对象物，并用光电二极管等光接收部接收来自该对象物的反射光。通过测量从投射到接收脉冲状的光为止所花费的时间(飞行时间)，从而以预先已知的光速为基础算出从测距装置到对象物的距离。通过缩窄所投射的脉冲状的光的脉冲宽度，从而受光信号的宽度也缩窄。由此，受光时刻的测量误差幅度变小，测距精度提高。

为了使LD放射脉冲状的激光，而使用控制流过LD的电流的开关元件。作为开关元件，例如使用场效应晶体管(FET)(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-66654号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

特别是在要求高速动作的情况下，使用N沟道增强型FET作为开关元件。作为N沟道型FET的连接方法，存在源极不接地的方式和源极接地且电位固定的方式。

以往的多激光二极管是单片共阴极构成，因此为了驱动各个激光二极管，必需在其阳极侧设置驱动电流控制电路。即，需要设为将多激光二极管的共用的阴极接地且将N沟道FET的源极连接到各个阳极的构成。在这种情况下，N沟道FET的源极不接地。

期望控制N沟道型FET的开关动作的是栅极/源极间电压(Vgs)，通过将FET的源极接地来有效地提供Vgs。当源极电位相对于FET的栅极驱动电位发生变动时，难以有效地提供Vgs，FET的开关动作的速度降低。

若能够将FET的源电极接地，则能够增大开关速度。因而，为了提高开关速度并放射脉冲宽度较窄的激光，优选采用FET的源极接地的构成。

本申请的发明人着眼于虽然用于测距的LD阵列封装件通常是各LD的阴极彼此电连接的单片共阴极构成，但是在单片共阴极构成中无法采用在各个LD的阴极侧连接有各个FET的构成。另外，为了制造能够采用在各个LD的阴极侧连接有各个FET的构成的单片共阳极构成的LD阵列而设置新的半导体生产线会需要大量的费用和时间。另外，为了精度良好地进行非单片的多个LD的光轴对准并作为LD阵列进行固定，也需要大量的技术、设备以及费用。

本公开在一方面中是鉴于这种实际情况而完成的，其目的在于提供能够使光轴对准变得容易并且能够缩窄光投射脉冲的宽度的LD阵列。

用于解决技术问题的方案