[发明专利]用于增大ALD工艺的沉积速率的方法

权利要求书

1.一种用于增大原子层沉积(ALD)工艺的沉积速率的方法，该方法包含：

提供处理室，其中衬底在所述室中；

使第一前体流入所述室中，所述第一前体包含金属有机物、金属卤化物、或金属杂化物，其中所述第一前体的吸附导致在所述衬底上生长膜；

使气相的碱与所述第一前体共流至所述室中，以将所述衬底的表面同时暴露于所述第一前体与所述碱，其中所述碱不会在所述衬底的所述表面上产生任何能测量的膜且所述碱不会在所述室中产生任何能测量的颗粒；以及

使第二前体流入所述室中，其中所述第二前体的吸附提供所述膜的氧化或氮化。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包含在使所述碱共流之后以及使所述第二前体流动之前清扫所述处理室。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碱选自由吡啶、胺和氨组成的群组。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述碱共流包含：使所述碱与所述第一前体一起脉冲化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使所述碱共流包含：交替所述第一前体的脉冲与所述碱的脉冲。

6.根据权利要求1所述的方法，其还包含使碱与所述第二前体共流。

7.根据权利要求1所述的方法，其还包含使酸与所述第二前体共流。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述ALD工艺不是等离子体增强工艺。

9.根据权利要求2所述的方法，其还包含在使所述第二前体流动之后清扫所述处理室。

10.一种用于增大原子层沉积(ALD)工艺的沉积速率的方法，该方法包含：

提供处理室，其中衬底在所述室中；

使第一前体流入所述室中，其中所述第一前体是金属有机物、金属卤化物、或金属杂化物，并且其中所述第一前体的吸附导致在所述衬底上生长膜；

使挥发性的碱与所述第一前体共流入所述室中，以将所述衬底的表面同时暴露于所述第一前体与所述碱，其中所述碱不会在所述衬底的所述表面上产生任何能测量的膜且所述碱不会在所述室中产生任何能测量的颗粒；以及

使挥发性的碱或酸与第二前体共流入所述室中，其中所述第二前体的吸附提供所述膜的氧化或氮化。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述碱选自由吡啶、胺和氨组成的群组。

12.根据权利要求10所述的方法，其中使所述碱共流包含：使所述碱与所述第一前体一起脉冲化。

13.根据权利要求10所述的方法，其中使所述碱共流包含：交替所述第一前体的脉冲与所述碱的脉冲。

14.一种用于增大等离子体增强原子层沉积(ALD)工艺的沉积速率的方法，其包含：

提供处理室，其中衬底在所述室中；

使第一前体流入所述室中，所述第一前体包含金属有机物、金属卤化物、或金属杂化物，其中所述第一前体的吸附导致在所述衬底上生长膜；

使气相的碱与所述第一前体共流至所述室中，以将所述衬底的表面同时暴露于所述第一前体与所述碱，其中所述碱不会在所述衬底的所述表面上产生任何能测量的膜且所述碱不会在所述室中产生任何能测量的颗粒；以及

使第二前体流入所述室中，其中所述第二前体是经等离子体点燃的并且所述第二前体的吸附提供所述膜的氧化或氮化。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一前体选自由双(二乙基氨)硅烷(BDEAS)、双(叔丁基氨)硅烷(BTBAS)和三(二甲基氨)硅皖(TDMAS)组成的群组。