[发明专利]用于等离子体加工的方法和装置

权利要求书

1.一种等离子体加工系统，包括：

真空室；

衬底固持器，该衬底固持器被配置为对要加工的衬底进行固持并且设置在该真空室中；以及

设置在该衬底固持器的外围区域上方的电子源，该电子源被配置为朝向该衬底固持器的外围区域生成电子束。

2.如权利要求1所述的系统，其中，该电子源包括耦合到直流(DC)供应节点的边缘电极。

3.如权利要求2所述的系统，其中，该边缘电极的内半径与该边缘电极的宽度之比在10:1到150:1之间变化。

4.如权利要求2所述的系统，其中，该边缘电极被电介质材料覆盖。

5.如权利要求2所述的系统，进一步包括设置在该衬底固持器的中心区域上方的中心电极，该中心电极设置在该边缘电极内。

6.如权利要求5所述的系统，其中，该中心电极包括掺杂的半导体材料。

7.如权利要求1所述的系统，其中，该系统被配置为使用电感工艺或电容工艺在该真空室内生成等离子体。

8.如权利要求1所述的系统，其中，该电子源包括被配置为耦合到外部电子源的出口。

9.一种使用如权利要求1所述的系统对半导体衬底进行加工的方法，该方法包括：

将该半导体衬底放置在该衬底固持器上方；以及

在该真空室中对该半导体衬底进行加工。

10.一种加工方法，包括：

将要加工的衬底放置在衬底固持器上，该衬底固持器设置在真空室内，该衬底包括被外围区域包围的中心区域；以及

将包括弹道电子的电子束从电子源朝向该外围区域引导。

11.如权利要求10所述的方法，其中，引导该电子束包括对设置在该外围区域上方的边缘电极施加第一直流脉冲。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该电子源包括设置在该外围区域上方的边缘电极和设置在该中心区域上方的中心电极。

13.如权利要求12所述的方法，其中，引导该电子束包括：

在该边缘电极上施加直流脉冲序列、在该中心电极上施加高频偏置并在该衬底固持器上施加低频偏置；

在该边缘电极上施加第一直流脉冲序列、在该中心电极上施加高频偏置和第二直流脉冲序列并在该衬底固持器上施加低频偏置；

在该边缘电极上施加第一直流脉冲序列、在该中心电极上施加高频偏置和第二直流脉冲序列并在该衬底固持器上施加第三低频偏置脉冲序列；

在该边缘电极上施加第一直流脉冲序列、在该中心电极上施加参考电势并在该衬底固持器上施加高频偏置和低频偏置；

在该边缘电极上施加第一直流脉冲序列、在该中心电极上施加第二直流脉冲序列并在该衬底固持器上施加高频偏置和低频偏置；

在该边缘电极上施加第一直流脉冲序列、在该中心电极上施加参考电势并在该衬底固持器上施加高频偏置和脉冲低频偏置；或者

在该边缘电极上施加直流脉冲序列、在该中心电极上施加第二直流脉冲序列并在该衬底固持器上施加高频偏置和脉冲低频偏置。

14.如权利要求12所述的方法，其中，引导该电子束包括：

在该边缘电极上施加直流脉冲序列、在该中心电极上施加射频偏置并在该衬底固持器上施加参考电势；

在该边缘电极上施加射频偏置和直流脉冲序列、在该中心电极上施加射频偏置并在该衬底固持器上施加参考电势；或者

在该边缘电极上施加直流脉冲序列、在该中心电极上施加参考电势并在该衬底固持器上施加射频偏置。