[发明专利]用于制备烃基烃氧基硅烷的方法

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

1)在150℃至400℃的温度处加热各个成分，所述成分包括：

a)烃基碳酸酯，和

b)硅源和催化剂，

从而形成包含式R_aH_bSi(OR)_(4-a-b)的烃基烃氧基硅烷的反应产物，其中每个R独立地为烃基基团，并且下标a为1至4，并且下标b为0至2。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃基碳酸酯选自碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二苯酯或碳酸甲基苯酯。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述催化剂包含铜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中成分b)为铜硅化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述铜硅化物为二元铜硅化物。

6.根据权利要求4或权利要求5所述的方法，其中所述铜硅化物为Cu₅Si。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述铜硅化物包含铜、硅和另外的金属，所述另外的金属选自铝、锡、钛以及铝、锡和钛中的两者或更多者的组合。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中成分b)包含含有硅和铜的接触物质。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括添加d)促进剂。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述促进剂包含铝、锡、钛或者铝、锡和钛中的两者或更多者的组合。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括在步骤1)期间添加c)氢。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中每个R为甲基、乙基或苯基。

13.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述烃基烃氧基硅烷包括甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷和四甲氧基硅烷。

14.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述反应产物包含式R₂Si(OR)₂的烃基烃氧基硅烷。

15.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，还包括在步骤1)和/或步骤2)之前吹扫和/或处理成分b)，从所述反应产物回收所述烃基烃氧基硅烷。