[发明专利]光子计数探测器

权利要求书

1.一种光子计数探测器，包括：

第一直接转换层(10)，其包括低吸收性直接转换材料(11)和第一电触点(12)，所述低吸收性直接转换材料用于将撞击的高能电磁辐射(100)转换成第一计数信号，

第二直接转换层(20)，其包括高吸收性直接转换材料(21)和第二电触点(22)，所述高吸收性直接转换材料用于将撞击的高能电磁辐射(100)转换成第二计数信号，所述高吸收性直接转换材料的吸收性比所述低吸收性直接转换材料的吸收性更高，以及

载体层(30、30a、30b)，其包括与所述第一电触点(12)和所述第二电触点(22)接触的第一端子(31)和第二端子(32)以及被配置为基于所述第一计数信号对所述第二计数信号校正误差的处理电路(35)，

其中，所述第一直接转换层和所述第二直接转换层被布置为使得所述高能电磁辐射在击中所述第二直接转换层之前透射所述第一直接转换层，

其中，所述处理电路(35)还被配置为：使用所述第一计数信号作为撞击的电磁辐射的估计结果以用于校正所述第二计数信号的漂移，并且在所述第二计数信号中存在变化但在所述第一计数信号中不存在变化的情况下或者在所述第一计数信号与所述第二计数信号之间的相关性偏离参考相关性的情况下确定在所述第二计数信号中存在漂移。

2.根据权利要求1所述的光子计数探测器，

其中，所述低吸收性直接转换材料(11)被配置用于将高能电磁辐射(100)转换成一个或多个第一能量分辨计数信号，并且所述高吸收性直接转换材料(21)被配置用于将高能电磁辐射(100)转换成一个或多个第二能量分辨计数信号。

3.根据任一前述权利要求所述的光子计数探测器，

其中，所述处理电路(35)被配置为对所述第二计数信号校正由所述高吸收性直接转换材料与所述低吸收性直接转换材料相比的较低稳定性导致的误差。

4.根据任一前述权利要求所述的光子计数探测器，

其中，所述处理电路(35)被配置为在所述第二计数信号的信号部分中存在低于最低能量阈值的变化但在所述第一计数信号的对应信号部分中不存在低于最低能量阈值的变化的情况下确定在所述第二计数信号中存在漂移。

5.根据任一前述权利要求所述的光子计数探测器，包括：

被布置在所述第一直接转换层(10)与所述第二直接转换层(20)之间的单个载体层(30)，其中，所述第一端子(31)被布置在所述载体层(30)的第一表面侧(38)上，并且所述第二端子(32)被布置在所述载体层(30)的与所述第一表面侧相对的第二表面侧(39)上。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的光子计数探测器，包括：

第一载体层(30a)，其被布置在所述第一直接转换层(10)与所述第二直接转换层(20)之间，其中，所述第一端子(31)被布置在所述第一载体层(30a)的面向所述第一直接转换层(10)并与所述第一电触点(12)接触的表面侧(38a)上，以及

第二载体层(30b)，其被布置在所述第二直接转换层(20)的背离所述第一直接转换层(10)的一侧上，其中，所述第二端子(32)被布置在所述第二载体层(30b)的面向所述第二直接转换层(20)并与所述第二电触点(22)接触的表面侧(39b)上。

7.根据任一前述权利要求所述的光子计数探测器，

其中，所述低吸收性直接转换材料(11)包括以下各项中的一项：硅、磷化铟、碘化汞，以及砷化镓。

8.根据任一前述权利要求所述的光子计数探测器，

其中，所述高吸收性直接转换材料(21)包括以下各项中的一项：碲化镉，以及碲锌镉。