[发明专利]涂布装置及涂布方法

说明书

一种涂布装置，具备：处理室；喷嘴，在该处理室内沿涂布对象面相对移动并向该涂布对象面涂布结晶材料的溶液；内压调整部，调整处理室的内压；及控制部。并且，控制部在通过喷嘴进行溶液的涂布的情况下，利用内压调整部调整处理室的内压，从而使涂布于涂布对象面的溶液依次干燥而使结晶材料结晶生长。

技术领域

本发明的一实施方式涉及通过溶液的涂布而形成结晶膜的技术。

背景技术

作为形成结晶膜的技术，提出了通过涂布半导体材料的溶液并使其干燥，从而使溶液中的半导体材料结晶生长而形成半导体膜的技术。例如，专利文献1公开了如下技术：在喷嘴的喷出部与基板的表面(涂布对象面)之间形成有溶液的积液的状态下使喷嘴移动，从而在积液的后方形成涂膜，并使该涂膜依次干燥而使半导体材料结晶生长。

更具体而言，专利文献1提出了如下方案：在喷嘴主体部设置悬突部，从而在喷嘴主体部的下端面与基板的表面之间形成由这些面夹持的空间，在该空间内形成积液。并且，通过形成这样的空间而使该空间内(即，积液附近)由从积液蒸发的溶剂充满而成为溶剂气氛，由此，抑制溶剂从积液持续蒸发而成为过饱和状态的情况(即，在该积液内半导体材料发生结晶化的情况)。而且，保持这样的积液的状态而使喷嘴移动，从而在积液的后方形成涂膜，并使涂膜相对地移动至从溶剂气氛被释放的位置(从上述空间脱出的位置)，由此，在该位置使溶剂从涂膜依次蒸发而使半导体材料结晶生长。这样，专利文献1要提高形成的半导体膜的结晶取向度(在半导体膜等结晶膜中表示结晶的方向对齐成何种程度的程度(取向的程度)。以下同样)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5891956号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在专利文献1中，为了避免积液成为过饱和状态而必须高精度地控制上述空间内的气氛。另一方面，在半导体材料结晶生长的位置(即，涂膜从上述空间脱出的位置)，对于气氛、温度等并未进行特别的控制。因此，尽管半导体材料结晶生长的位置处的气氛、温度等的变化对半导体膜的状态(结晶取向度等)造成大的影响，但是无法应对该位置处的气氛、温度等的变化。由此，在专利文献1公开的技术中，难以稳定地形成结晶取向度高的半导体膜。

因此，本发明的至少一个实施方式的目的是在通过溶液的涂布而形成结晶膜的技术中，稳定地形成结晶取向度高的结晶膜。

用于解决课题的方案

本发明的一实施方式的涂布装置具备：处理室；喷嘴，在该处理室内沿涂布对象面相对移动并向该涂布对象面涂布结晶材料的溶液；内压调整部，调整处理室的内压；及控制部。并且，控制部在通过喷嘴进行溶液的涂布的情况下，利用内压调整部调整处理室的内压，从而使涂布于涂布对象面的溶液依次干燥而使结晶材料结晶生长。

根据上述涂布装置，通过调整处理室的内压，能够调整涂布于涂布对象面的溶液的干燥速度。具体而言，通过降低处理室的内压，能够促进溶液中的溶剂的蒸发而增大干燥速度。而且，通过提高处理室的内压，能够抑制溶液中的溶剂的蒸发而减小干燥速度。并且，通过将干燥速度调整成所希望的速度，在控制下，能够提高结晶膜的结晶取向度。

发明效果

根据本发明的一实施方式，能够稳定地形成结晶取向度高的结晶膜。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的涂布装置的概念图，也示出处理室的内侧的结构。

图2是从使喷嘴相对于基板相对移动的方向(规定方向D1)观察到的涂布装置的概念图，也示出处理室的内侧的结构。

图3是表示利用涂布装置执行的控制处理(涂布处理)的流程图。

图4是表示在涂布时形成的积液(弯液面)的状态的概念图。