[发明专利]晶体化合物、氧化物烧结体、溅射靶、晶质及无定形氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备有效
| 申请号： | 201980050258.3 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112512991B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;柴田雅敏;川岛绘美;佐佐木健一;八百笃史 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C01G15/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 陈亦欧;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 化合物 氧化物 烧结 溅射 无定形 薄膜 薄膜晶体管 电子设备 | ||
1.一种晶体结构化合物A，其特征在于，
以下述组成式(1)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线即Cu-Kα射线衍射测量观测到的入射角2θ的范围内具有衍射峰，
(InxGayAlz)2O3····(1)
所述组成式(1)中，
0.47≤x≤0.53，
0.17≤y≤0.33，
0.17≤z≤0.33，
x+y+z＝1，
31°～34°···(A)
36°～39°···(B)
30°～32°···(C)
51°～53°···(D)
53°～56°···(E)
62°～66°···(F)
9°～11°···(G)
19°～21°···(H)
42°～45°···(I)
8°～10°···(J)
17°～19°···(K)。
2.一种晶体结构化合物A，其特征在于，
以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线即Cu-Kα射线衍射测量观测到的入射角2θ的范围内具有衍射峰，
(InxGayAlz)2O3····(2)
所述组成式(2)中，
0.47≤x≤0.53，
0.17≤y≤0.43，
0.07≤z≤0.33，
x+y+z＝1，
31°～34°···(A)
36°～39°···(B)
30°～32°···(C)
51°～53°···(D)
53°～56°···(E)
62°～66°···(F)
9°～11°···(G)
19°～21°···(H)
42°～45°···(I)
8°～10°···(J)
17°～19°···(K)。
3.如权利要求2所述的晶体结构化合物A，其特征在于，
所述组成式(2)的x、y以及z为下述范围，
0.48≤x≤0.52，
0.18≤y≤0.42，
0.08≤z≤0.32，
x+y+z＝1。
4.如权利要求2所述的晶体结构化合物A，其特征在于，
所述组成式(2)的x、y以及z为下述范围，
0.48≤x≤0.51，
0.19≤y≤0.41，
0.09≤z≤0.32，
x+y+z＝1。
5.如权利要求1～4的任一项所述的晶体结构化合物A，其特征在于，
所述晶体结构化合物A的原子比通过扫描型电子显微镜-能量分散型X射线分析装置即SEM-EDS或感应耦合等离子体发光分光分析装置即ICP-AES进行测量。
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