[发明专利]涡流探伤装置及涡流探伤方法

说明书

有关实施方式的涡流探伤装置具有：第一励磁检测器(20)，被供给交流电流，通过对被检查体(11)赋予磁场的变化，能够在被检查体(11)诱发涡流；第二励磁检测器(21)，夹着被检查体(11)配置在与第一励磁检测器(20)的相反侧，能够检测通过在被检查体(11)诱发的涡流而产生的反作用磁场的变化。

技术领域

本发明的实施方式涉及涡流探伤装置及涡流探伤方法。

背景技术

通常，涡流探伤是以金属材料为对象作为成为检查对象的被检查体，从交流电源向励磁线圈供给交流电流，在被检查体的表面附近诱发涡流，通过检测线圈检测该涡流产生的反作用磁场。假设在被检查体的表面附近存在缺陷，则涡流的流动因缺陷而变化，并且涡流产生的反作用磁场的强度和分布也变化，所以能够检测缺陷的有无。

另一方面，由两种以上不同的材料构成的复合材料由于采用层叠构造或利用纤维等，与金属材料相比，有时导电率降低。如果将这样的复合材料作为涡流探伤的检查对象，则复合材料的导电率低，所以复合材料诱发的涡流密度降低。因此，涡流产生的反作用磁场的磁通密度也降低，缺陷检测的灵敏度降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9－33489号公报

发明内容

发明要解决的课题

为了提高微小磁场条件下的涡流探伤的缺陷检测灵敏度，已知存在使用SQUID(Superconducting Quantum Interference Device，超导量子干涉设备)磁通计的技术。在这种技术中，SQUID磁通计针对磁场的灵敏度高，所以能够期待微小磁场条件下的涡流探伤的缺陷检测灵敏度提高。但是，SQUID磁通计需要冷却，还存在装置结构变复杂、装置价格变高等课题。

复合材料的导电率有时比金属材料低，如果将复合材料作为涡流探伤的对象，则在复合材料流过的涡流密度和涡流产生的磁通密度降低，所以涡流探伤的缺陷检测灵敏度降低。另外，如果涡流探伤的检测单元使用高灵敏度磁性传感器，则存在导致装置结构的复杂化和装置高价化的情况。

本发明的实施方式的目的是，即使对于例如复合材料等导电率低的材料的检查对象，也能实现以简洁低价的装置结构进行高灵敏度的缺陷检测的涡流探伤。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，根据本发明的一个实施方式，涡流探伤装置的特征在于，具有：第一励磁检测器，能够在被检查体诱发涡流；以及第二励磁检测器，夹着所述被检查体配置在与所述第一励磁检测器的相反侧，能够检测通过所述涡流产生的反作用磁场的变化。

另外，根据本发明的另一实施方式，涡流探伤装置的特征在于，具有：励磁检测器，能够在被检查体诱发涡流，并且检测通过所述涡流产生的反作用磁场的变化；以及强磁体的背面部件，夹着所述被检查体配置在与所述励磁检测器的相反侧。

另外，根据本发明的另一实施方式，涡流探伤方法的特征在于，包括：

第一励磁检测器配置步骤，接近被检查体配置第一励磁检测器；第二励磁检测器配置步骤，夹着所述被检查体在与所述第一励磁检测器的相反侧接近所述被检查体配置第二励磁检测器；励磁步骤，在所述第一励磁检测器配置步骤及所述第二励磁检测器配置步骤之后，通过所述第一励磁检测器在所述被检查体诱发涡流；以及检测步骤，通过所述第二励磁检测器检测通过所述涡流产生的反作用磁场的变化。

另外，根据本发明的另一实施方式，涡流探伤方法的特征在于，包括：励磁检测器配置步骤，接近被检查体配置励磁检测器；背面部件配置步骤，夹着所述被检查体在与所述励磁检测器的相反侧接近所述被检查体配置强磁体的背面部件；励磁步骤，在所述励磁检测器配置步骤及所述背面部件配置步骤之后，通过所述励磁检测器在所述被检查体诱发涡流；以及检测步骤，通过所述励磁检测器检测通过所述涡流产生的反作用磁场的变化。