[发明专利]具有改善的离子阻断器的远程电容耦合等离子体源

权利要求书

1.一种气体分配设备，包括：

远程等离子体源，所述远程等离子体源具有面板；

离子阻断器，所述离子阻断器具有面对所述面板的背表面以及前表面，所述背表面和所述前表面限定厚度，所述离子阻断器的所述背表面与所述面板间隔一距离以形成间隙，所述离子阻断器包括延伸穿过所述厚度的多个开口；

喷淋头，所述喷淋头具有背表面和前表面，所述喷淋头的所述背表面面对所述离子阻断器的所述前表面并且与所述离子阻断器的所述前表面间隔，所述喷淋头包括多个孔隙以允许来自所述远程等离子体源的自由基流过所述喷淋头；以及

电压调节器，所述电压调节器连接至所述离子阻断器和所述喷淋头以相对于所述喷淋头极化所述离子阻断器。

2.如权利要求1所述的气体分配设备，其中相对于所述喷淋头极化所述离子阻断器，使得实质没有等离子体气体离子通过所述喷淋头。

3.如权利要求1所述的气体分配设备，其中所述喷淋头为具有第一气体通道和第二气体通道的双通道喷淋头。

4.如权利要求3所述的气体分配设备，其中所述双通道喷淋头的所述第一气体通道与所述离子阻断器和所述面板之间的所述间隙流体连通，使得所述喷淋头中的所述多个孔隙包括从所述前表面延伸至所述喷淋头的所述背表面的第一多个孔隙。

5.如权利要求4所述的气体分配设备，其中所述双通道喷淋头的所述第二气体通道与所述喷淋头的所述前表面中的第二多个孔隙流体连通，并且没有任何所述第二多个孔隙将所述第二气体通道与所述喷淋头的所述背表面直接连接。

6.如权利要求4所述的气体分配设备，其中所述离子阻断器中的所述开口中的至少一些与所述喷淋头中的所述第一多个开口中的至少一些对齐。

7.如权利要求4所述的气体分配设备，其中所述离子阻断器中的所述开口中的每一者与所述喷淋头中的所述第一多个开口的一者对齐。

8.如权利要求1所述的气体分配设备，其中电压调节器被配置为提供在约±2V至约±100V的所述范围中的所述离子阻断器相对于所述喷淋头的直流(DC)极化。

9.如权利要求1所述的气体分配设备，其中所述电压调节器被配置为提供在约±5V至约±50V的所述范围中的所述离子阻断器相对于所述喷淋头的直流(DC)极化。

10.如权利要求1所述的气体分配设备，其中所述离子阻断器中的所述开口具有在约1/8”至约1/2”的所述范围中的直径。

11.一种包括如权利要求1至权利要求10中任一项所述的气体分配设备的处理腔室。

12.一种将自由基提供至处理腔室的方法，所述方法包括以下步骤：

产生等离子体，所述等离子体包括由离子阻断器形成边界的等离子体空腔中的第一量的离子和自由基；

极化所述离子阻断器以将通过所述离子阻断器中的开口的离子从所述第一量的离子减少至第二量并且产生一流量的自由基；以及

将所述流量的自由基通过喷淋头，所述喷淋头与所述离子阻断器相邻并且与所述离子阻断器间隔，所述喷淋头包括多个孔隙以允许所述自由基通过所述喷淋头，

其中相对于所述喷淋头极化所述离子阻断器。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述等离子体气体包括氧(O₂)或氩(Ar)中的一者或更多者。

14.如权利要求12所述的方法，其中相对于所述喷淋头极化所述离子阻断器，使得实质没有等离子体气体离子通过所述喷淋头。

15.一种非瞬时计算机可读介质，包含指令，在由处理腔室的控制器执行时，所述指令使得所述处理腔室执行以下操作：

产生等离子体，所述等离子体包括等离子体空腔中的第一量的离子和自由基；

相对于喷淋头极化离子阻断器；以及

提供一流量的等离子体气体进入由离子阻断器形成边界的等离子体空腔。