[发明专利]包括晶体管和二极管的电路和器件

权利要求书

1.一种电路，包括：

双极晶体管，

所述双极晶体管的基极端子能可切换地连接到信号源；

二极管，所述二极管具有连接到所述晶体管的所述基极端子的第一端子，以及连接到参考电压的第二端子；

所述电路被布置成使得当所述信号源未连接到所述晶体管的所述基极端子时，在所述双极晶体管的发射极端子处施加的电压导致通过所述晶体管的所述基极端子和通过所述二极管的电流流动，使得所述晶体管处于导通状态；

所述信号源的阻抗比所述晶体管的通过所述发射极端子和基极端子的阻抗低；并且

所述二极管被选择为提供限流功能，使得当所述信号源连接到所述晶体管的基极时，通过所述基极端子的电流流动减少，使得所述晶体管切换到断开状态。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述二极管被布置在所述电路中以当电压被施加到所述晶体管的所述发射极端子时被反向偏置。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其中所述二极管具有在每摄氏度-2mV至2mV的范围内的温度系数，所述范围包括端点值-2mV、2mV。

4.根据权利要求1、2或3所述的电路，其中所述二极管是齐纳二极管

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述齐纳二极管具有在4伏和5.6伏之间——包括端点值——的齐纳电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述齐纳二极管具有大约5.6伏的齐纳电压。

7.一种反相器逻辑门电路，包括任一项前述权利要求所述的电路。

8.一种运行电路的方法，

所述电路包括双极晶体管、二极管，所述二极管具有连接到所述晶体管的基极端子的第一端子；并且，所述二极管的第二端子连接到参考电压；

在所述晶体管的发射极端子和所述二极管的所述第二端子之间施加电压；

所述方法包括将所述晶体管的所述基极端子和所述二极管的所述第一端子可切换地连接到信号源，所述信号源具有的阻抗低于所述双极晶体管的所述发射极端子和基极端子之间的阻抗，使得：

当所述信号源未被连接时，导致通过所述晶体管的所述基极端子和通过所述二极管的电流流动接通所述晶体管；

以及当所述信号源被连接时，通过所述晶体管的控制端子的电流流动减少以将所述晶体管切换为断开。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述晶体管的发射极端子和所述二极管的所述第二端子之间施加电压，使得所述二极管被反向偏置。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述二极管是齐纳二极管，并且当所述晶体管导通时施加在所述二极管上的电压比所述齐纳二极管的击穿电压小。

11.一种半导体器件，包括：

双极晶体管，所述晶体管包括：

提供所述晶体管的集电极区域和发射极区域的第一类型的半导体材料的第一区域和第二区域，以及插在所述第一类型的所述第一区域和第二区域之间并且与所述第一类型的所述第一区域和第二区域中的每个接触的、提供所述晶体管的基极区域的第二类型的第一区域；

以及二极管，所述二极管包括：

所述第二类型的所述第一区域；以及

所述第一类型的半导体的另外的区域，所述另外的区域与所述第二类型的所述第一区域的相对高掺杂的部分接触以形成二极管结。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述二极管包括：所述第二类型的所述第一区域的一部分，其与所述第二类型的所述第一区域的其余部分相比是相对高掺杂的。

13.根据权利要求11或12所述的半导体器件，其中所述第二类型的所述第一区域的相对高掺杂的所述部分和所述第一类型的半导体的所述另外的区域提供齐纳二极管。