[发明专利]错置消减算法有效

专利信息
申请号: 201980048598.2 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN112470226B 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: G·卡列洛;F·罗里 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34;G11C16/04;G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 消减 算法
【说明书】:

一种存储器装置包括存储器阵列和存储器控制单元。所述存储器包含多层级存储器单元。所述存储器控制单元被配置成:使用第一遍次编程操作起始所述存储器阵列的存储器单元的编程,其中所述第一遍次编程操作使用第一和第二电压阈值分布放置编程数据;在所述存储器单元的字线上使用第一读取电压层级来读取经编程存储器单元;在所述存储器单元的所述字线上使用第二读取电压层级来读取所述经编程存储器单元;确定具有通过所述编程放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的所述经编程存储器单元的数目;和响应于所述所确定的单元数目超过指定阈值数目,暂停所述存储器单元的第二遍次编程,否则就起始第二遍次编程操作。

优先权申请

本申请案主张2018年6月29日提交的美国申请案序号16/023,052的优先权益,所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过当未被供电时保留所存储的数据而提供持久性数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电阻可变存储器,如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁阻随机存取存储器(MRAM)、3D XPointTM存储器等等。

存储器单元通常布置成矩阵或阵列。多个矩阵或阵列可组合到存储器装置中,且多个装置可组合以形成存储器系统的存储容量,例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFSTM)装置、多媒体卡(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMCTM)等。

存储器系统可包含一或多个处理器或其它存储器控制器,用于执行逻辑函数以操作所述存储器装置或与外部系统介接。存储器矩阵或阵列可包含组织成数个物理页的数个存储器单元块。存储器系统可从与存储器操作相关联的主机接收命令,例如旨在在存储器装置和主机之间传送数据(例如,用户数据和相关联的完整性数据,例如误差数据和地址数据等)的读取或写入操作、旨在从存储器装置擦除数据的擦除操作,或执行一或多个其它存储器操作。

利用存储器作为用于多种多样的电子应用的易失性和非易失性数据存储装置,所述电子应用包含例如个人计算机、便携式存储棒、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器和其它电子装置。存储器单元可布置成阵列,其中阵列用于存储器装置。

许多电子装置包含数个主要组件:主机处理器(例如,中央处理单元(CPU)或其它主处理器);主存储器(例如,一或多个易失性或非易失性存储器装置,例如动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、移动或低功率双倍数据速率同步DRAM(DDR SDRAM)等);以及存储装置(例如,非易失性存储器(NVM)装置,例如快闪存储器、只读存储器(ROM)、SSD、MMC或其它存储卡结构或组合件,或易失性和非易失性存储器的组合等)。在某些实例中,电子装置可包含用户接口(例如,显示器、触摸屏、键盘、一或多个按钮等)、图形处理单元(GPU)、功率管理电路系统、基带处理器或一或多个收发器电路等。

附图说明

在不一定按比例绘制的附图中,相似标号可以在不同视图中描述类似组件。具有不同的字母后缀的相似标号可以表示类似组件的不同例子。图式大体上借助于实例而非限制性地说明本文件中所论述的各种实施例。

图1说明包含主机和存储器装置的实例系统。

图2是呈包含非易失性存储器单元的存储器装置形式的设备的框图。

图3A示出多层级存储器单元的电压阈值范围的实例。

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