[发明专利]SiC晶片和SiC晶片的制造方法

权利要求书

1.一种SiC晶片，其特征在于，具有：

被镜面加工的主面；以及

被梨皮面加工的背面。

2.根据权利要求1所述的SiC晶片，其特征在于，所述背面的算术平均偏差Ra为50nm～300nm。

3.根据权利要求1或2所述的SiC晶片，其特征在于，所述背面的最大高度Rz为0.5μm～5μm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的SiC晶片，其特征在于，在所述背面处实质上没有加工变质层。

5.一种SiC晶片，其特征在于，所述SiC晶片的至少背面在实施了梨皮面加工之后，在Si蒸汽压下进行加热被蚀刻。

6.一种SiC晶片，其特征在于，所述SiC晶片的至少背面在实施梨皮面加工并在Si蒸汽压下加热而被蚀刻，所述SiC晶片的主面被镜面加工。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的SiC晶片，其特征在于，所述梨皮面加工是使用碳化硼磨粒和/或碳化硅磨粒的游离磨粒加工。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的SiC晶片，其特征在于，晶片厚度为1mm以下。

9.一种SiC晶片的制造方法，其特征在于，包括：

梨皮面加工步骤，对SiC晶片的至少背面进行梨皮面加工；以及

蚀刻步骤，在所述梨皮面加工步骤之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片的至少背面进行蚀刻。

10.根据权利要求9所述的SiC晶片的制造方法，其特征在于，还包括镜面加工步骤，在所述蚀刻步骤之后，对所述SiC晶片的主面进行镜面加工。

11.根据权利要求9或权利要求10所述的SiC晶片的制造方法，其特征在于，所述梨皮面加工步骤是使用碳化硼磨粒和/或碳化硅磨粒的游离磨粒加工。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的SiC晶片的制造方法，其特征在于，所述蚀刻步骤具有：粗糙度调整步骤，通过控制蚀刻量来调整所述背面的粗糙度，使得其算术平均偏差Ra为50nm～300nm。

13.一种SiC晶片，其特征在于，实质上没有加工变质层。

14.一种SiC晶片，其特征在于，具有：

主面，在所述主面制作半导体元件；

背面，与所述主面相对；

外周部，连接到所述主面和背面的外缘；

切口部，设置在所述外周部的一部分处；以及

刻印部，设置在所述主面或所述背面处，

其中，所述主面、所述背面、所述外周部、所述切口部、以及所述刻印部实质上没有加工变质层。

15.一种SiC晶片，其特征在于，实质上没有由表面重构引起的晶格应变以外的晶格应变。

16.一种SiC晶片，其特征在于，具有：

主面，所述主面制作有半导体元件；

背面，与所述主面相对；以及

块体层，与所述主面和所述背面邻接，

其中，所述块体层相对于基准晶格的晶格应变量为0.01％以下。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的SiC晶片，其特征在于，当在1500℃～2000℃的温度范围内加热时，SORI值不变化。

18.一种SiC晶片的制造方法，其特征在于，包括：

平坦化步骤，使SiC晶片平坦化；以及

蚀刻步骤，在所述平坦化步骤之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片的主面和背面进行蚀刻。