[发明专利]探针、检查治具、检查装置以及探针的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980047512.4 申请日: 2019-05-27
公开(公告)号: CN112424614A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 山崎秀和;隈本幸雄 申请(专利权)人: 日本电产理德股份有限公司
主分类号: G01R1/067 分类号: G01R1/067;G01R1/073
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 日本京都府京都市右京区西京极堤*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 探针 检查 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

探针Pr为大致棒状形状,包括前端部Pa、基端部Pb、以及主体部,所述主体部位于前端部Pa与基端部Pb之间,且与大致棒状的轴向正交的厚度方向的厚度比前端部Pa薄,主体部PC包含倾斜面Fs1,所述倾斜面Fs1与前端部Pa相连,且以厚度随着远离前端部Pa而逐渐变薄的方向相对于轴向倾斜,在倾斜面Fs1的至少一部分设置有具有朝向外侧鼓起的面形状的第一区域。

技术领域

本发明涉及一种用于检查的探针、检查治具、检查装置以及探针的制造方法。

背景技术

以往,为了对形成有电路或配线等的半导体晶片或基板等检查对象物进行检查,使多个针状的探针与检查对象物抵接,并对所述探针间赋予电信号、或利用探针来检测信号,由此对检查对象物进行检查。作为此种探针,已知有一种包含针尖部、与所述针尖部连续的针中间部、以及与所述针中间部连续的针后部,且将针中间部形成为板状的平坦形状的探针(例如,参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2001-74779号公报

发明内容

然而,所述探针在使探针与检查对象物抵接时,施加于探针的变形容易集中于针尖部与针中间部的边界。

本发明的目的在于提供一种变形不易集中的探针、使用所述探针的检查治具、检查装置及所述探针的制造方法。

本发明的探针为大致棒状形状,包括一端部、另一端部、以及主体部,所述主体部位于所述一端部与所述另一端部之间,且与所述大致棒状的轴向正交的厚度方向的厚度比所述一端部薄,所述主体部包含第一倾斜面,所述第一倾斜面与所述一端部相连,且以所述厚度随着远离所述一端部而逐渐变薄的方向相对于所述轴向倾斜,在所述第一倾斜面的至少一部分设置有具有朝向外侧鼓起的面形状的第一区域。

另外,本发明的检查治具包括多个所述探针、以及支撑所述多个探针的支撑部件。

另外,本发明的检查装置通过使所述探针与检查对象物接触来检查所述检查对象物。

另外,本发明的探针的制造方法为制造所述探针的方法,其使用第一模具及第二模具,所述第一模具及第二模具在所述厚度方向上彼此相向,具有与所述主体部的形状对应并且与所述第一区域对应的凹陷,在所述第一模具与所述第二模具之间夹持棒状部件来进行冲压加工。

附图说明

图1是概略性地表示包括本发明一实施方式的探针的半导体检查装置的结构的概念图。

图2是图1所示的探针的一例的正面图与侧面图。

图3是将图2所示的探针的第一连接区域附近放大表示的局部放大立体图。

图4是将图2所示的探针的侧面图中的第一连接区域附近放大表示的局部放大图。

图5是将图2所示的探针的正面图中的第一连接区域附近放大表示的局部放大图。

图6是表示图5所示的区域的变形例的正面图。

图7是表示图5所示的区域的变形例的正面图。

图8是表示图4所示的区域的变形例的侧面图。

图9是表示图4所示的区域的变形例的侧面图。

图10是表示图4所示的区域的变形例的侧面图。

图11是图1所示的检查治具、第一间距变换块及第二间距变换块的剖面图。

图12是表示图1所示的检查治具的结构的一例的剖面图。

图13是表示半导体晶片与图12所示的检查治具抵接,形成于半导体晶片表面的检查点与各探针的前端部接触的状态的说明图。

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