[发明专利]NAND温度感知操作在审
| 申请号: | 201980046923.1 | 申请日: | 2019-06-26 | 
| 公开(公告)号: | CN112424865A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 | 
| 发明(设计)人: | C·切拉福利;F·罗里;J·W·欧;G·卡列洛 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 | 
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C29/02;G11C16/22;G11C16/34 | 
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 | 
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | nand 温度 感知 操作 | ||
1.一种用于NAND温度感知操作的器件,所述器件包括:
NAND阵列,其包含NAND组件;以及
控制器,其用以:
接收将数据写入到所述NAND组件的命令;
响应于接收到所述命令,获得对应于所述NAND组件的温度;以及
执行将数据写入到所述NAND组件的所述命令,其中为了执行所述命令,所述控制器将所述温度写入到所述NAND器件的与所述NAND器件的所述数据写入到的用户部分分开的管理部分中。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述控制器经布置以从所述NAND组件读取所述数据,且响应于读取错误度量高于阈值而读取所述温度。
3.根据权利要求2所述的器件,其中为了读取所述数据和所述温度,所述控制器:
将所述温度与第二阈值进行比较;以及
响应于所述温度超出所述阈值,执行交叉温度读取恢复操作。
4.根据权利要求1所述的器件,其中所述管理部分在所述NAND组件上。
5.一种用于NAND温度感知操作的方法,所述方法包括:
在NAND器件的控制器处接收将数据写入到所述NAND器件中的NAND组件的命令;
响应于接收到所述命令而获得对应于所述NAND组件的温度;以及
执行将数据写入到所述NAND组件的所述命令,包含将所述温度写入到所述NAND器件的与所述NAND器件的所述数据写入到的用户部分分开的管理部分中。
6.根据权利要求5所述的方法,其包括从所述NAND组件读取所述数据,以及响应于读取错误度量高于阈值而读取所述温度。
7.根据权利要求6所述的方法,其中读取所述数据和所述温度包含:
将所述温度与第二阈值进行比较;以及
响应于所述温度超出所述阈值,执行交叉温度读取恢复操作。
8.根据权利要求7所述的方法,其中将所述温度提供给调用所述读取命令的主机,且其中所述主机使用所述温度来实施所述交叉温度读取恢复操作。
9.根据权利要求5所述的方法,其包括基于存储在所述管理部分中的所述温度来修改所述NAND组件上的维护操作。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述维护操作是所述NAND组件的刷新,且其中修改所述维护操作包含调整阈值以基于所述温度来执行所述刷新。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述维护操作是所述NAND组件的引退,且其中修改所述维护操作包含调整阈值以基于所述温度来执行所述引退。
12.根据权利要求5所述的方法,其中所述管理部分在所述NAND组件上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述NAND组件是页。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述管理部分是所述页的旗标字节。
15.根据权利要求14所述的方法,其中使用单层级单元SLC编码来编程所述管理部分,且其中使用具有比所述SLC编码大的密度的编码来编程所述用户部分。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述管理部分编码有错误校正。
17.根据权利要求5所述的方法,其中获得所述温度包含响应于接收到所述命令而从温度计获得所述温度。
18.根据权利要求5所述的方法,其中获得所述温度包含从缓冲器获得所述温度,温度计周期性地测量所述温度,并将所述温度存储在所述缓冲器中。
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