[发明专利]光电转换元件、成像元件、光传感器、化合物在审
| 申请号: | 201980046416.8 | 申请日: | 2019-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN112400240A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | 吉冈知昭;益子智之;岩崎孝一 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;C07D471/14;C07D487/04;H01L27/146;H01L27/30 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志楠;褚瑶杨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 元件 成像 传感器 化合物 | ||
1.一种光电转换元件,依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,
所述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物,
[化学式1]
式(1)中,Y1表示式(1-1)所表示的基团或式(1-2)所表示的基团,
A1表示包含至少2个碳原子的可以具有取代基的环,
Z1表示氧原子、硫原子、=NRZ1或=CRZ2RZ3,RZ1表示氢原子或取代基,RZ2及RZ3分别独立地表示氰基或-COORZ4,RZ4表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、或可以具有取代基的杂芳基,
Rb1及Rb2分别独立地表示氰基或-COORb3,
Rb3表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、或可以具有取代基的杂芳基,
R1及R2分别独立地表示氢原子或取代基,
Ra1及Ra2分别独立地表示可以具有取代基的芳基、-C(RL1)(RL2)(RL3)、或可以具有取代基的杂芳基,
RL1~RL3分别独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基、或氢原子,RL1~RL3中至少2个分别独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、或可以具有取代基的杂芳基,RL1~RL3所表示的可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基及可以具有取代基的杂芳基可以相互键合而形成环,
Ar1表示可以具有取代基的芳香环,
*表示键合位置。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
式(1)所表示的化合物是式(2)所表示的化合物,
[化学式2]
式(2)中,A1表示包含至少2个碳原子的可以具有取代基的环,
R1及R2分别独立地表示氢原子或取代基,
Ra1及Ra2分别独立地表示可以具有取代基的芳基、-C(RL1)(RL2)(RL3)、或可以具有取代基的杂芳基,
RL1~RL3分别独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基、或氢原子,RL1~RL3中至少2个分别独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基、或可以具有取代基的杂芳基,RL1~RL3所表示的可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基及可以具有取代基的杂芳基可以相互键合而形成环,
X1~X4分别独立地表示氮原子或-CRc1=,
Rc1表示氢原子或取代基,
当Rc1存在多个时,存在多个的Rc1可以相互键合而形成环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





