[发明专利]药液、药液收容体在审
申请号: | 201980046121.0 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN112400139A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 上村哲也;高桥智美;大松祯;清水哲也 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;C11D7/50;G03F7/32;G03F7/039;G03F7/038 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛海蛟 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 药液 收容 | ||
本发明提供一种缺陷抑制性优异的药液。并且,提供一种含有上述药液的药液收容体。本发明的药液含有选自由除了烷烃及烯烃以外的化合物、以及癸烷及十一烷组成的组中的1种以上的有机溶剂,该药液还含有选自由碳原子数12~50的烷烃及碳原子数12~50的烯烃组成的组中的1种以上的有机成分,相对于药液的总质量,有机成分的含量为0.10~1,000,000质量ppt。
技术领域
本发明涉及一种药液及药液收容体。
背景技术
通过包含光刻的配线形成工序制造半导体器件时,作为预湿液、抗蚀剂液(抗蚀剂组合物)、显影液、冲洗液、剥离液、化学机械抛光(CMP:Chemical Mechanical Polishing)浆料及CMP后的清洗液等或作为这些的稀释液,可使用含有水和/或有机溶剂的药液。
近年来,通过光刻技术的进步,图案的微细化不断发展。作为图案的微细化的方法,可使用将曝光光源短波长化的方法,尝试作为曝光光源使用了波长进一步短的EUV(极紫外线)等来代替以往使用的紫外线、KrF准分子激光及ArF准分子激光等的图案形成。
随着所形成的图案的微细化,对于该工序中所使用的上述药液要求进一步的缺陷抑制性。
作为用于以往的图案形成的药液,在专利文献1中公开了一种“在图案形成技术中,能够减少粒子的产生的、化学增幅型抗蚀剂膜的图案形成用有机系处理液的制造方法([0010]段)”。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-084122号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人等对通过上述制造方法制造的图案形成用有机系处理液(药液)进行研究的结果,发现了缺陷抑制性有改善的余地。
因此,本发明的课题在于提供一种缺陷抑制性优异的药液。并且,本发明的课题在于提供一种含有上述药液的药液收容体。
用于解决技术课题的手段
为了解决上述问题,本发明人等进行深入研究的结果,发现了通过以下结构能够解决上述问题。
〔1〕
一种药液,其含有选自由除了烷烃及烯烃以外的化合物、以及癸烷及十一烷组成的组中的1种以上的有机溶剂,
该药液还含有选自由碳原子数12~50的烷烃及碳原子数12~50的烯烃组成的组中的1种以上的有机成分,
相对于上述药液的总质量,上述有机成分的含量为0.10~1,000,000质量ppt。
〔2〕
根据〔1〕所述的药液,其含有2种以上的上述有机成分。
〔3〕
根据〔1〕或〔2〕所述的药液,其含有1种以上的上述碳原子数12~50的烷烃及1种以上的上述碳原子数12~50的烯烃这两者。
〔4〕
根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的药液,其中上述有机溶剂的对二十碳烯的汉森溶解度参数的距离为3~20MPa0.5。
〔5〕
根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的药液,其中相对于前述药液的总质量,含有20~80质量%的对二十碳烯的汉森溶解度参数的距离为3~20MPa0.5的前述有机溶剂,
相对于前述药液的总质量,含有20~80质量%的对二十碳烯的汉森溶解度参数的距离不为3~20MPa0.5的前述有机溶剂。
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