[发明专利]摄像元件和摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，其包括：

半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，所述半导体基板具有在所述一个表面和所述另一个表面之间贯通的通孔；

第一光电转换器，其设置在所述半导体基板的所述一个表面上方；

贯通电极，其电连接到所述第一光电转换器，所述贯通电极在所述通孔内贯通所述半导体基板；

第一电介质膜，其设置在所述半导体基板的所述一个表面上，所述第一电介质膜具有第一膜厚；以及

第二电介质膜，其设置在所述通孔的侧面上，所述第二电介质膜具有第二膜厚，所述第二膜厚小于所述第一膜厚。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述半导体基板还包括在所述另一个表面侧的放大晶体管和浮动扩散层，并且

所述贯通电极电连接至所述放大晶体管和所述浮动扩散层中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一电介质膜和所述第二电介质膜中的至少一者由层叠膜构成。

4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述第一电介质膜的所述第一膜厚为10nm以上且1000nm以下，并且

所述第二电介质膜的所述第二膜厚为1nm以上且200nm以下。

5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一电介质膜在所述半导体基板上的区域间膜厚不同。

6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述半导体基板形成为嵌入有第二光电转换器，并且

所述第一电介质膜的在所述第二光电转换器上方的膜厚大于在所述贯通电极周围的区域中的膜厚。

7.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一电介质膜是通过使用在所述半导体基板上的区域间不同的材料形成。

8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一电介质膜和所述第二电介质膜各自包括以下的至少一者：具有负固定电荷的材料，以及带隙比所述半导体基板的带隙宽的半导体材料或导电材料。

9.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述第二电介质膜在所述一个表面附近的区域和所述另一个表面附近的区域具有不同的膜厚，并且

所述一个表面附近的区域中的膜厚大于所述另一个表面附近的区域中的膜厚。

10.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述贯通电极在所述通孔内的所述贯通电极的周围包括绝缘膜。

11.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述半导体基板包括在平面方向上的多个像素，并且

所述贯通电极针对每个所述像素设置。

12.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述半导体基板包括在平面方向上的多个像素，并且

针对两个以上的所述像素设置各所述贯通电极。

13.根据权利要求1所述的摄像元件，其包括在所述半导体基板的平面方向上的像素区域和周边区域，所述周边区域围绕所述像素区域，其中，

所述贯通电极设置在所述周边区域中。

14.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一光电转换器包括第一电极和第二电极以及有机光电转换层，并且所述第一电极由多个电极构成，所述第一电极和所述第二电极彼此相对地布置，所述有机光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间。

15.根据权利要求6所述的摄像元件，还包括在所述半导体基板内的第三光电转换器，所述第三光电转换器层叠在所述第二光电转换器上。