[发明专利]磁微聚焦电子发射源在审
| 申请号: | 201980044996.7 | 申请日: | 2019-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN112400213A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | C·西尔斯 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/147 | 分类号: | H01J37/147;H01J37/285;H01J1/304 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 聚焦 电子 发射 | ||
1.一种设备,其包含:
磁发射器单元,其中所述磁发射器单元包含发射器,其中所述磁发射器单元包含由一或多个磁性材料形成的一或多个磁性部分,其中所述磁发射器单元的所述一或多个磁性部分经配置以产生接近所述磁发射器单元的所述发射器的尖端的磁场以增强从所述电子发射器发射的电子的聚焦。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述磁发射器单元包含:
磁套筒结构,其包围所述发射器,其中所述发射器由非磁性材料形成。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述非磁性材料包含:
一或多个非铁材料。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述磁发射器单元包含:
磁发射器,其中所述磁发射器由磁性材料形成。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述磁性材料包含:
一或多个铁素体材料。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述一或多个铁素体材料包含:
镍、铁或钴中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的设备,其中由所述磁发射器单元产生的所述磁场经配置以产生来自所述磁发射器单元的所述反射器的所述尖端的粒子发射的透镜场。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述透镜场在所述发射器的所述尖端的表面处具有0.5到2.5特斯拉之间的强度。
9.根据权利要求1所述的设备,其中来自所述发射器的所述尖端的所述粒子发射包含:
热电子发射、肖特基(Schottky)电子发射、扩展肖特基电子发射、冷场电子发射或光电发射中的至少一者。
10.一种设备,其包含:
电子源,其包括磁发射器单元,其中所述磁发射器单元包含发射器,其中所述磁发射器单元包含由一或多个磁性材料形成的一或多个磁性部分,其中所述磁发射器单元的所述一或多个磁性部分经配置以产生接近所述磁发射器单元的所述发射器的尖端的磁场以增强从所述电子发射器发射的电子的聚焦;
电子光学柱,其包括经配置以将电子束引导到样本上的一组电子光学元件;及
检测器组合件,其经配置以检测来自所述样本的电子信号。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述磁发射器单元包含:
磁套筒结构,其包围所述发射器,其中所述发射器由非磁性材料形成。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述非磁性材料包含:
一或多个非铁材料。
13.根据权利要求10所述的设备,其中所述磁发射器单元包含:
磁发射器,其中所述磁发射器由磁性材料形成。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述磁性材料包含:
一或多个铁素体材料。
15.根据权利要求14所述的设备,其中所述一或多个铁素体材料包含:
镍、铁或钴中的至少一者。
16.根据权利要求10所述的设备,其中所述磁发射器单元产生的所述磁场经配置以产生来自所述磁发射器单元的所述反射器的所述尖端的粒子发射的透镜场。
17.根据权利要求16所述的设备,其中所述透镜场在所述发射器的所述尖端的表面处具有0.5到2.5特斯拉之间的强度。
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