[发明专利]包括带有远心透镜的透镜电路、光束折叠组件或多边形扫描仪的原子层蚀刻和沉积处理系统在审
申请号: | 201980044981.0 | 申请日: | 2019-05-02 |
公开(公告)号: | CN112385029A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 彭东宇;云桑·S·金姆;张贺;基思·威尔斯;艾伦·M·舍普 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01S3/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 带有 透镜 电路 光束 折叠 组件 多边形 扫描仪 原子 蚀刻 沉积 处理 系统 | ||
1.一种衬底处理系统,其包括:
处理室;
衬底支撑件,其设置在所述处理室中并且被配置为支撑衬底;
激光器,其被配置为产生激光束;和
包括多个透镜或反射镜的准直组件,所述多个透镜或反射镜被布置成将所述激光束朝所述衬底引导以加热所述衬底的暴露的材料,其中,所述多个透镜或反射镜被配置成沿在与所述衬底的表面垂直的预定范围内的方向引导所述激光束。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括透镜电路,所述透镜电路包括光束成形光学器件,以将所述激光束从圆形激光束转换为方形激光束。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括透镜电路,所述透镜电路包括:
平顶光学器件,其用于将所述激光束从圆形激光束转换为平顶形激光束;以及
衍射光学器件,其用于将所述平顶形激光束转换为方形激光束。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括控制器,所述控制器被配置为执行快速热退火工艺,所述快速热退火工艺包括:(i)生成控制信号以调制所述激光束,以使所述暴露的材料经受多个热能脉冲,以及(ii)使得所述暴露的材料能在所述多个热能脉冲中的连续的热能脉冲之间冷却。
5.根据权利要求4所述的衬底处理系统,其还包括反射镜电路,所述反射镜电路包括第一反射镜、第二反射镜、第一马达和第二马达,
其中,所述控制器被配置为经由所述第一马达和所述第二马达移动所述第一反射镜和所述第二反射镜,以调节所述激光束在所述衬底上的位置。
6.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其还包括光束尺寸调节设备,该光束尺寸调节设备被配置为在所述激光束被所述衬底接收之前调节所述激光束的尺寸。
7.根据权利要求1所述的衬底处理系统,其中:
所述准直组件包括远心透镜组件,所述远心透镜组件包括多个透镜,所述多个透镜被布置成将所述激光束朝所述衬底引导以加热所述暴露的材料,其中,所述多个透镜被配置成沿垂直于所述衬底的所述表面的方向引导所述激光束;以及
所述多个透镜被配置为沿垂直于所述衬底的所述表面的方向引导所述激光束。
8.根据权利要求7所述的衬底处理系统,其还包括:
反射镜电路,其包括第一反射镜、第二反射镜、第一马达和第二马达,其中
所述激光束被朝所述第一反射镜引导,
所述激光束被从所述第一反射镜引导到所述第二反射镜,并且
所述激光束被从所述第二反射镜引导穿过所述远心透镜组件并且到达所述衬底;以及
控制器,其被配置为经由所述第一马达和所述第二马达移动所述第一反射镜和所述第二反射镜,以调节所述激光束在所述衬底上的位置。
9.根据权利要求8所述的衬底处理系统,其中,当所述控制器调节所述激光束在所述衬底上的所述位置时,所述多个透镜使所述激光束与所述衬底的所述表面保持垂直关系。
10.根据权利要求7所述的衬底处理系统,其中:
所述处理室是感应耦合等离子体室或远程等离子体源连接室;并且
所述远心透镜组件位于所述处理室的介电窗上方。
11.根据权利要求7所述的衬底处理系统,其中,所述多个透镜是平凸透镜。
12.根据权利要求7所述的衬底处理系统,其中,所述多个透镜具有不同的直径。
13.根据权利要求12所述的衬底处理系统,其中:
所述多个透镜被串联布置,其包括第一透镜和最后透镜;
从第一透镜到最后透镜,所述多个透镜的直径增大;以及
所述激光束在所述第一透镜处接收,并且从所述最后透镜输出到所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造