[发明专利]半导体裸片的拾取系统

说明书

对半导体裸片(15)进行拾取的半导体裸片的拾取系统(500)包括：控制部(150)，在拾取时，对用以自切割片材(12)剥离半导体裸片(15)的剥离动作进行控制；以及存储部(152)，存储将一片晶片中的各半导体裸片(15)与预先规定的多种剥离动作的任一种对应起来的对应关系(等级表(159)、参数表(160))。控制部(150)自存储部(152)中读出所述对应关系，并在拾取一片晶片的各半导体裸片(15)时，依照与每个半导体裸片(15)建立了对应关系的剥离动作，将半导体裸片(15)自切割片材(12)剥离并加以拾取。由此，可应用适合于一片晶片中的各个半导体裸片的剥离动作来进行半导体裸片的拾取。

技术领域

本发明涉及一种用于接合装置(接合系统(bonding system))的半导体裸片的拾取(pickup)系统。

背景技术

半导体裸片是将6英寸(inch)或8英寸大小的晶片(wafer)切断成规定的大小而制造。在切断时，在背面贴附切割片材(dicing sheet)，并自表面侧通过切割锯等来切断晶片，以免切断后的半导体裸片七零八落。此时，贴附于背面的切割片材成为被稍许切入但未被切断且保持着各半导体裸片的状态。然后，被切断的各半导体裸片被逐个自切割片材拾取而送往裸片接合(die bonding)等下个步骤。

作为自切割片材拾取半导体裸片的方法，提出有下述方法：在使切割片材吸附于圆板状的吸附板的表面，并使半导体裸片吸附于吸头(collet)的状态下，利用配置于吸附板中央部的顶块(block)来顶起半导体裸片，并且使吸头上升，从而自切割片材拾取半导体裸片(例如参照专利文献1的图9至图23)。在使半导体裸片自切割片材剥离时，有效的做法是，首先使半导体裸片的周边部剥离，接下来使半导体裸片的中央部剥离，因此在专利文献1所记载的现有技术中，采用下述方法，即：将顶块分为顶起半导体裸片的周围部分的块、顶起半导体裸片的中央的块、与顶起半导体裸片的中间的块这3个块，首先使3个块上升至规定高度后，使中间与中央的块上升得高于周边的块，最后使中央的块上升得高于中间的块。

另外，也提出有下述方法：在使切割片材吸附于圆板状的顶帽(ejector cap)的表面，并使半导体裸片吸附于吸头的状态下，使吸头以及周边、中间、中央的各顶块上升至高于顶帽的表面的规定高度后，使吸头的高度仍保持所述高度，并使顶块依照周围的顶块、中间的顶块的顺序下降至顶帽表面之下的位置，从而自半导体裸片剥离切割片材(例如参照专利文献2)。

在利用专利文献1、专利文献2中记载的方法来使切割片材自半导体裸片剥离的情况下，如专利文献1的图40、图42、图44，专利文献2的图4A至图4D、图5A至图5D所记载那样，在半导体裸片剥离之前，半导体裸片有时会在仍贴附于切割片材的状态下与切割片材一同弯曲变形。若在半导体裸片发生弯曲变形的状态下继续进行切割片材的剥离动作，则半导体裸片有时会发生破损，因此提出有下述方法：如专利文献1的图31所记载那样，根据来自吸头的抽吸空气的流量变化来检测半导体裸片的弯曲，并如专利文献1的图43所记载那样，在检测到吸气流量时，判断为半导体裸片已发生变形而使顶块暂时下降后，再次使顶块上升。再者，在专利文献3中也公开了根据来自吸头的抽吸空气的流量的变化来检测(判别)半导体裸片的弯曲(挠曲)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4945339号公报

专利文献2：美国专利第8092645号说明书

专利文献3：日本专利第5813432号公报

发明内容

发明所要解决的问题